用于在多位快闪存储装置中的高写入性能的方法及系统

摘要

本发明提供数种方法及电路用于在双位快闪存储阵列中执行高速写入(编程)操作。方法(200)包含，例如，擦除(204)阵列内各单元的第一与第二位成为第一状态，编程(206)阵列内各单元的第一位成为第二状态，且随后根据用户的数据编程阵列内一个或更多单元的第二位成为第一与第二状态中的一种，结果该第二位可快速写入(编程)。此外，该电路包含，例如，核心单元阵列(402)，具有配置成多个阵列部份的双位快闪存储单元。该电路进一步包含控制电路(404)，配置成可选择性区块擦除该阵列部分中的一个，其中在区块擦除(204)的第一阶段，于一个阵列部分内各双位快闪存储单元的第一与第二位位置两者均被移除足够的电荷以实现第一状态。该控制电路(404)进一步配置成：在区块擦除的第二阶段(206)中，供给电荷至一个阵列部分内各双位快闪存储单元的第一位位置以致随后可快速写入用户的数据至第二位位置。

主权项

1.一种将多位快闪存储阵列划分为快速写入部份与正常写入部份的方法(300)，该方法包含：识别双位快闪存储单元(316、318、320、322)的阵列部份用于对其的快速写入操作；以及在对其的写入操作之前，对该已识别的快速写入阵列部份执行快速写入致能擦除操作(200)，其中该快速写入致能擦除操作不同于待执行于另一阵列部份的擦除操作，该另一阵列部份包含存储单元的正常写入阵列部份，该正常写入阵列部份不被识别用于对其的快速写入操作。