| 发明名称 | 一种单质微－纳半导体方块及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在液相环境中利用脉冲激光烧蚀沉积技术制备单质微－纳半导体方块及其制备方法。该方法如下：将靶材置于液相物质中，使脉冲激光光束透过聚焦透镜后聚焦在靶材的上表面，在靶材的上表面产生等离子体羽；待脉冲激光烧蚀沉积反应进行10～30分钟后，停止脉冲激光照射靶材，将反应产物取出干燥分离，即制得单质微－纳半导体方块。本发明还公开了单质微－纳半导体方块在计算机学、微电子加工、光学、生物学、催化化学、或医学等领域中的应用。本发明操作简单，成本低廉，没有苛刻的操作环境要求，能够在常温常压条件下完成反应。 | ||
| 申请公布号 | CN1966398A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200610123617.8 | 申请日期 | 2006.11.17 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 杨国伟;刘璞;崔浩 |
| 分类号 | B82B3/00(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | B82B3/00(2006.01) |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人 | 裘晖;杨晓松 |
| 主权项 | 1、一种单质微-纳半导体方块的制备方法，其特征在于包括如下步骤：将靶材置于液相物质中，使脉冲激光光束透过聚焦透镜后聚焦在靶材的上表面，在靶材的上表面产生等离子体羽；脉冲激光烧蚀沉积反应进行10～30分钟后，停止脉冲激光照射靶材，将反应产物取出干燥分离，即制得单质微-纳半导体方块。 | ||
| 地址 | 510275广东省广州市新港西路135号 | ||