| 发明名称 | 在具有图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在带图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜的方法。该方法是首先将两硅片制作成硅薄膜厚度符合要求的硅薄膜-二氧化硅-硅键合片，其次将所述的硅薄膜-二氧化硅-硅键合片与具有图形氧化层的绝缘硅基衬底制作成硅-二氧化硅-硅薄膜-绝缘硅基衬底键合片，最后用腐蚀方法除去所述硅-二氧化硅-硅薄膜-绝缘硅基衬底键合片的硅薄膜表面上的硅-二氧化硅层，完成在带图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜。该方法用于微电子机械系统(MEMS)可动部件制造中。 | ||
| 申请公布号 | CN1317739C | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200410097520.5 | 申请日期 | 2004.11.23 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 发明人 | 徐世六;张正元;刘玉奎;杨国渝;税国华 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种在具有图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜的方法，其特征在于：该方法包括有如下步骤：(1)先将两硅片制作成硅薄膜厚度符合要求的硅薄膜-二氧化硅-硅的键合片；(2)将所述的硅薄膜-二氧化硅-硅的键合片与具有图形的氧化层绝缘硅基衬底键合成硅-二氧化硅-硅薄膜-绝缘硅基衬底键合片；(3)用腐蚀方法除去所述硅-二氧化硅，获得硅薄膜-绝缘硅基衬底的键合片。 | ||
| 地址 | 400060重庆市南岸区南坪花园路14号 | ||