| 发明名称 | 一种多角状纳米ZnO和碳纳米管的复合结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种多角状纳米ZnO和碳纳米管的复合结构及其制备方法，属于光电子和半导体材料及其制备的技术领域。背景技术用气相输运法和用丝网印刷制备的大面积碳纳米管薄膜，含杂质较多，其场发射电流密度和发射点密度较小，发射均匀性差，限制其在场发射显示器件中的应用。该复合结构由硅片衬底、碳纳米管和多角纳米ZnO组成，在表面印制有碳纳米管薄膜的硅片衬底上，以ZnO粉和石墨粉与少量Zn粉的均匀混和物作为蒸发源，用热蒸发方法蒸发蒸发源混和物，在碳纳米管薄膜上生长多角状纳米ZnO，该复合结构多角，场发射电流密度和发射点密度大，发射均匀性好，特别适于在场发射显示器件中应用。 | ||
| 申请公布号 | CN1967766A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200610117269.3 | 申请日期 | 2006.10.19 |
| 申请人 | 华东师范大学 | 发明人 | 郁可;王青艳;朱自强 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01);H01J9/02(2006.01);C01G9/02(2006.01);C01B31/02(2006.01);B82B1/00(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01J1/304(2006.01) |
| 代理机构 | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程宗德;石昭 |
| 主权项 | 1、一种多角状纳米ZnO和碳纳米管的复合结构，其特征在于，由硅片衬底、碳纳米管和多角纳米ZnO组成，碳纳米管和多角纳米ZnO以薄膜形式分别依附在硅片衬底上和依附在碳纳米管薄膜上，多角状纳米ZnO的角的平均直径和平均长度分别为20nm～40nm和300～500nm。 | ||
| 地址 | 200062上海市中山北路3663号 | ||