| 主权项 |
1.一种具凸出端电极多电路元件晶片之制造方法, 系包含以下步骤: (A)提供一基板,该基板界定复数条横向线与复数条 纵向线以区隔成多数个呈矩阵排列之基体,各该基 体之上表面由左而右并列间隔地延伸数条导电区 块,且各该基体分别于各该导电区块中两相邻导电 区块中的间隔区域的左、右两端设置一贯穿该基 体之上、下表面之穿孔,该等穿孔更位于该对应纵 向线上; (B)形成一覆盖该基板之上表面、下表面与该等穿 孔内壁面之绝缘层; (C)沿该等纵向线分割该基板成复数个条状体; (D)溅镀于该条状体之左、右侧壁面中未形成该绝 缘层的剩余壁面上,以形成复数个导接对应的导电 区块的左、右端的侧面电极; (E)沿该等横向线分割该等条状体成该等独立基体; 及 (F)电镀该等基体,以于各该侧面电极上形成一端电 极。 2.依据申请专利范围第1项所述之制造方法,其中, 该步骤(B)中系于该基板的上、下表面印刷绝缘材 质并分别于相反表面施加负压抽吸,使该绝缘材质 溢流于该等穿孔之内壁面,以形成该绝缘层。 3.依据申请专利范围第2项所述之制造方法,其中, 该步骤(A)中,各该导电区块含有两间隔地形成于该 基体之左、右两端之上电极、一桥接该等上电极 之导电薄膜及一覆盖该导电薄膜与该等上电极邻 近该导电薄膜之部分的保护层。 4.依据申请专利范围第3项所述之制造方法,其中, 该纵向线系一预刻痕,而在该步骤(B)中,该绝缘层 覆盖该等保护层并令该等上电极邻接该纵向线之 部分裸露。 5.依据申请专利范围第4项所述之制造方法,其中, 该步骤(A)中,该基板于下表面对应该等上电极位置 更形成复数个下电极,而在该子步骤(B)中该绝缘层 系令该等下电极邻接该纵向线之部分裸露。 6.依据申请专利范围第5项所述之制造方法,其中, 各该端电极系位于该对应侧面电极、上电极与下 电极上。 7.依据申请专利范围第3项所述之制造方法,更包含 一位于该步骤(D)与该步骤(E)之间的步骤(G),移除该 绝缘层。 8.依据申请专利范围第7项所述之制造方法,其中, 该绝缘层系玻璃糊,而该步骤(G)系将各该基体浸泡 于美沙克隆中,并施加超音波清洗来移除该绝缘层 。 9.依据申请专利范围第3项所述之制造方法,其中, 各该导电薄膜系一电阻膜。 10.依据申请专利范围第1项所述之制造方法,其中, 该基板系一陶瓷基板。 11.依据申请专利范围第1项所述之制造方法,其中, 该步骤(B)中该金属膜的材质为镍铬合金、镍铜合 金、钛钨合金及铜中的任一种。 图式简单说明: 图1~图7是一种习用多电阻晶片之制造流程示意图; 图8是本发明具凸出端电极多电路元件晶片之制造 方法的较佳实施例的流程图; 图9是本实施例的基板的局部示意图; 图10是沿图9的剖面线71-71'的剖面示意图; 图11是本实施例基板的上表面形成上纵向绝缘条 的示意图; 图12是沿图11的剖面线72-72'的剖面示意图; 图13是本实施例基板的下表面形成下纵向绝缘条 的示意图; 图14是沿图11的剖面线73-73'的剖面示意图; 图15是沿图11的剖面线74-74'的剖面示意图; 图16是本实施例的基板分割成条状体的示意图; 图17是本实施例的条状体堆叠的示意图; 图18是本实施例的条状体的左、右侧面经溅镀的 示意图; 图19是沿图18的剖面线75-75'的剖面示意图; 图20是本实施例中移除绝缘层后的剖面示意图; 图21是本实施例的条状体分割成独立基体之示意 图; 图22是本实施的基体经电镀端电极的示意图;及 图23是沿图22的剖面线76-76'的剖面示意图。 |
