| 主权项 |
1.一种半穿透式(transflective)液晶显示面板(liquid crystal display panel,LCD panel),包括: 一薄膜电晶体(thin film transistor,TFT)基板,包括: 一第一基板; 一薄膜电晶体,系形成于该第一基板之上; 一第一绝缘层,系形成于该第一基板之上,并覆盖 该薄膜电晶体,该第一绝缘层具有一接触孔,该接 触孔系暴露部分之该薄膜电晶体之一端; 一第二绝缘层,系以避开该接触孔之方式形成于一 部分之该第一绝缘层上,并位于该薄膜电晶体之上 ,该第二绝缘层具有一第一表面及一侧面,该侧面 系位于该接触孔之开口旁; 一穿透区电极,系形成于另一部分之该第一绝缘层 上,并透过该接触孔与该薄膜电晶体之该端电性连 接,该穿透区电极具有一第二表面,该第二表面系 低于该第一表面;及 一反射区电极,系至少形成于该第一表面及该侧面 上,并经由该接触孔与该薄膜电晶体之该端电性连 接; 一彩色滤光片(color filter,CF)基板,包括: 一第二基板; 一彩色滤光片,系形成于该第二基板上;及 一共同电极,系形成于该彩色滤光片上;以及 一液晶层,系密封于该薄膜电晶体基板及该彩色滤 光片基板之间。 2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中 该穿透区电极之一端系于该接触孔中覆盖部分之 该薄膜电晶体之该端,该反射区电极之一端系至少 于该接触孔中覆盖该穿透区电极之该端,该反射区 电极系透过该穿透区电极与该薄膜电晶体之该端 电性连接。 3.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中 该反射区电极之一端系于该接触孔中覆盖部分之 该薄膜电晶体之该端,该穿透区电极之一端系至少 于该接触孔中覆盖该反射区电极之该端,该穿透区 电极系透过该反射区电极与该薄膜电晶体之该端 电性连接。 4.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中 该反射区电极之一端及该穿透区电极之一端系于 该接触孔中以互不重叠之方式共同覆盖部分之该 薄膜电晶体之该端,该穿透区电极及该反射区电极 系直接与该薄膜电晶体之该端电性连接。 5.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中 该穿透区电极为一铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)透 明电极或一铟锌氧化物(indium zinc oxide,IZO)透明电 极。 6.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中 该反射区电极为至少一铝层或一铝合金层。 7.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中 该基板为一玻璃基板或一塑胶基板。 8.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中 该薄膜电晶体为一非晶矽(amorphous silicon,a-Si)薄膜 电晶体或一低温多晶矽(low temperature polysilicon,LTPS) 薄膜电晶体。 9.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中 该薄膜电晶体之该端为一汲极或一源极。 10.一种薄膜电晶体基板,至少包括: 一基板; 一薄膜电晶体,系形成于该基板之上; 一第一绝缘层,系形成于该基板之上,并覆盖该薄 膜电晶体,该第一绝缘层具有一接触孔,该接触孔 系暴露部分之该薄膜电晶体之一端; 一第二绝缘层,系以避开该接触孔之方式形成于一 部分之该第一绝缘层上,并位于该薄膜电晶体之上 ,该第二绝缘层具有一第一表面及一侧面,该侧面 系位于该接触孔之开口旁; 一穿透区电极,系形成于另一部分之该第一绝缘层 上,并透过该接触孔与该薄膜电晶体之该端电性连 接,该穿透区电极具有一第二表面,该第二表面系 低于该第一表面;以及 一反射区电极,系至少形成于该第一表面及该侧面 上,并经由该接触孔与该薄膜电晶体之该端电性连 接。 11.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体基板, 其中该穿透区电极之一端系于该接触孔中覆盖部 分之该薄膜电晶体之该端,该反射区电极之一端系 至少于该接触孔中覆盖该穿透区电极之该端,该反 射区电极系透过该穿透区电极与该薄膜电晶体之 该端电性连接。 12.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体基板, 其中该反射区电极之一端系于该接触孔中覆盖部 分之该薄膜电晶体之该端,该穿透区电极之一端系 至少于该接触孔中覆盖该反射区电极之该端,该穿 透区电极系透过该反射区电极与该薄膜电晶体之 该端电性连接。 13.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体基板, 其中该反射区电极之一端及该穿透区电极之一端 系于该接触孔中以互不重叠之方式共同覆盖部分 之该薄膜电晶体之该端,该穿透区电极及该反射区 电极系直接与该薄膜电晶体之该端电性连接。 14.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体基板, 其中该穿透区电极为一铟锡氧化物透明电极或一 铟锌氧化物透明电极。 15.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体基板, 其中该反射区电极为至少一铝层或一铝合金层。 16.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体基板, 其中该基板为一玻璃基板或一塑胶基板。 17.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体基板, 其中该薄膜电晶体为一非晶矽薄膜电晶体或一低 温多晶矽薄膜电晶体。 18.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体基板, 其中该薄膜电晶体之该端为一汲极或一源极。 19.一种半穿透式液晶显示面板,包括: 一薄膜电晶体基板,包括: 一第一基板; 一薄膜电晶体,系形成于该第一基板之上; 一第一绝缘层,系形成于该第一基板之上,并覆盖 该薄膜电晶体,该第一绝缘层具有一接触孔,该接 触孔系暴露部分之该薄膜电晶体之一端; 一穿透区电极,系形成于一部分之该第一绝缘层上 ,并透过该接触孔与该薄膜电晶体之该端电性连接 ,该穿透区电极具有一第一表面; 一第二绝缘层,系以填满该接触孔之方式形成于另 一部分之该第一绝缘层及部分之该第一表面上,并 位于该薄膜电晶体之上,该第二绝缘层具有一第二 表面及一侧面,该第二表面系高于该第一表面;及 一反射区电极,系至少形成于该第二表面及该侧面 上,并覆盖该侧面旁之部分之未被该第二绝缘层覆 盖之该穿透区电极,该反射区电极系透过该穿透区 电极与该薄膜电晶体之该端电性连接; 一彩色滤光片基板,包括: 一第二基板; 一彩色滤光片,系形成于该第二基板上;及 一共同电极,系形成于该彩色滤光片上;以及 一液晶层,系密封于该薄膜电晶体基板及该彩色滤 光片基板之间。 20.如申请专利范围第19项所述之液晶显示面板,其 中该穿透区电极为一铟锡氧化物透明电极或一铟 锌氧化物透明电极。 21.如申请专利范围第19项所述之液晶显示面板,其 中该反射区电极为至少一铝层或一铝合金层。 22.如申请专利范围第19项所述之液晶显示面板,其 中该基板为一玻璃基板或一塑胶基板。 23.如申请专利范围第19项所述之液晶显示面板,其 中该薄膜电晶体为一非晶矽薄膜电晶体或一低温 多晶矽薄膜电晶体。 24.如申请专利范围第19项所述之液晶显示面板,其 中该薄膜电晶体之该端为一汲极或一源极。 25.一种薄膜电晶体基板,包括: 一基板; 一薄膜电晶体,系形成于该基板之上; 一第一绝缘层,系形成于该基板之上,并覆盖该薄 膜电晶体,该第一绝缘层具有一接触孔,该接触孔 系暴露部分之该薄膜电晶体之一端; 一穿透区电极,系形成于一部分之该第一绝缘层上 ,并透过该接触孔与该薄膜电晶体之该端电性连接 ,该穿透区电极具有一第一表面; 一第二绝缘层,系以填满该接触孔之方式形成于另 一部分之该第一绝缘层及部分之该第一表面上,并 位于该薄膜电晶体之上,该第二绝缘层具有一第二 表面及一侧面,该第二表面系高于该第一表面;以 及 一反射区电极,系至少形成于该第二表面及该侧面 上,并覆盖该侧面旁之部分之未被该第二绝缘层覆 盖之该穿透区电极,该反射区电极系透过该穿透区 电极与该薄膜电晶体之该端电性连接。 26.如申请专利范围第25项所述之薄膜电晶体基板, 其中该穿透区电极为一铟锡氧化物透明电极或一 铟锌氧化物透明电极。 27.如申请专利范围第25项所述之薄膜电晶体基板, 其中该反射区电极为至少一铝层或一铝合金层。 28.如申请专利范围第25项所述之薄膜电晶体基板, 其中该基板为一玻璃基板或一塑胶基板。 29.如申请专利范围第25项所述之薄膜电晶体基板, 其中该薄膜电晶体为一非晶矽薄膜电晶体或一低 温多晶矽薄膜电晶体。 30.如申请专利范围第25项所述之薄膜电晶体基板, 其中该薄膜电晶体之该端为一汲极或一源极。 图式简单说明: 第1图绘示乃传统之半穿透式液晶显示面板的结构 剖面图。 第2图绘示乃依照本发明之实施例一之半穿透式液 晶显示面板的结构剖面图。 第3图绘示乃依照本发明之实施例二之半穿透式液 晶显示面板的结构剖面图。 第4图绘示乃依照本发明之实施例三之半穿透式液 晶显示面板的结构剖面图。 第5图绘示乃依照本发明之实施例四之半穿透式液 晶显示面板的结构剖面图。 |
