| 主权项 |
1.一种横向电场驱动型液晶显示器,包括: 一第一基板; 至少一第一画素,形成于上述第一基板上,该画素 具有复数个第一平行画素电极及复数个第一平行 共同电极,并令各该画素电极邻近配置且平行于相 对应的该共同电极; 至少一第二画素,邻近于该第一画素,其中该第二 画素具有复数个第二平行画素电极及复数个第二 平行共同电极,并令各该画素电极邻近配置且平行 于相对应的该共同电极; 一第二基板,系相对于该第一基板而设置;以及 一液晶材料,夹设于该第一基板与该第二基板之间 ; 其中,任一相互邻近的第一共同电极与第一画素电 极之间的间距相等且具有一第一距离,任一相互邻 近的第二共同电极与第二画素电极之间的间距相 等且具有一第二距离,并且该第二距离不等于该第 一距离。 2.如申请专利范围第1项所述之横向电场驱动型液 晶显示器,其中该第一距离与该第二距离的差値为 0.25*X m,X=1,2,3,或4。 3.如申请专利范围第1项所述之横向电场驱动型液 晶显示器,其中该第一平行画素电极及该第一平行 共同电极系分别形成于不同层。 4.如申请专利范围第1项所述之横向电场驱动型液 晶显示器,其中该第一距离系10.00至11.30 m。 5.如申请专利范围第1项所述之横向电场驱动型液 晶显示器,其中该第二距离系10.00至11.30 m。 6.一种横向电场驱动型液晶显示器,包括: 至少一画素,具有复数个平行的画素电极及复数个 平行的共同电极,并令各该画素电极邻近配置且平 行于相对应的该共同电极; 其中,在该画素中任一相互邻近的共同电极与画素 电极之间的间距不相等。 7.如申请专利范围第6项所述之横向电场驱动型液 晶显示器,其中上述间距相互之间的差値为0.25*X m,X=1,2,3,或4。 8.如申请专利范围第6项所述之横向电场驱动型液 晶显示器,其中上述平行的画素电极及上述平行的 共同电极系分别形成于不同层。 9.如申请专利范围第6项所述之横向电场驱动型液 晶显示器,其中该间距系10.00至11.30 m。 10.一种横向电场驱动型液晶显示器,包括: 复数个画素,其中各画素具有复数个平行的画素电 极及复数个平行的共同电极,并令各该画素电极邻 近配置且平行于相对应的该共同电极; 其中,在每一该画素中,任一相互邻近的共同电极 与画素电极之间的间距系相等及不等于该邻近画 素中任一相互邻近的共同电极与画素电极之间的 间距。 11.如申请专利范围第10项所述之横向电场驱动型 液晶显示器,其中在该复数个画素中的该间距系散 乱的排列。 12.如申请专利范围第10项所述之横向电场驱动型 液晶显示器,其中任意两该间距的差値为0.25*X m, X=1,2,3,或4。 13.如申请专利范围第10项所述之横向电场驱动型 液晶显示器,其中该平行的画素电极及该平行的共 同电极系分别形成于不同层。 14.如申请专利范围第10项所述之横向电场驱动型 液晶显示器,其中该间距系10.00至11.30 m。 15.一种横向电场驱动型液晶显示器,包括: 至少一第一画素,形成于一基板上,该画素具有复 数个第一平行画素电极及复数个第一平行共同电 极,并令各该画素电极邻近配置且平行于相对应的 该共同电极;以及 至少一第二画素,邻近于该第一画素,其中该第二 画素具有复数个第二平行画素电极及复数个第二 平行共同电极,并令各该画素电极邻近配置且平行 于相对应的该共同电极; 其中,任一相互邻近的第一共同电极与第一画素电 极之间的间距相等且具有一第一距离,任一相互邻 近的第二共同电极与第二画素电极之间的间距相 等且具有一第二距离,并且该第二距离不等于该第 一距离。 16.如申请专利范围第15项所述之横向电场驱动型 液晶显示器,其中该第一距离与该第二距离的差値 为0.25 *X m,X=1,2,3,或4。 17.如申请专利范围第15项所述之横向电场驱动型 液晶显示器,其中该第一平行画素电极及该第一平 行共同电极系分别形成于不同层。 18.如申请专利范围第15项所述之横向电场驱动型 液晶显示器,其中该第一距离系10.00至11.30 m。 19.如申请专利范围第15项所述之横向电场驱动型 液晶显示器,其中该第二距离系10.00至11.30 m。 图式简单说明: 第1A图系显示根据习知的IPS-LCD,液晶分子在关(off) 状态时的配向状态剖面图; 第1B图系显示根据习知的IPS-LCD,液晶分子在开(on) 状态时的配向状态剖面图; 第2图系显示根据习知技术,于玻璃基板上具有共 同电极与画素电极的配置剖面图; 第3图系显示在该IPS-LCD之区域B中,导因于临界尺寸 (CD)变化所生成之斑点(muras)的上视图; 第4图系显示根据习知技术之一包括区域A与区域B 之具有临界尺寸(CD)变化的画素阵列; 第5图系显示根据习知技术于区域A与区域B之间的 透光度差的三维图表; 第6图系显示根据本发明第一实施例之一包括区域 A与区域B之具有临界尺寸(CD)变化的画素阵列; 第7图系显示根据本发明第一实施例,于区域A与区 域B之间的透光度差的三维图表; 第8A图系显示根据本发明第二实施例,于一玻璃基 板之一画素上具有共同电极与画素电极的示意图; 以及 第8B图系显示根据本发明第二实施例,于一玻璃基 板之另一画素上具有共同电极与画素电极的示意 图。 |
