| 主权项 |
1.一种电浆处理室内基板之表面加热方法,其包含: 提供一基板,其中该基板系放置于一电浆处理室内 ,且该基板具有一显露于电浆之表面; 在该电浆处理室内,以一电浆处理该基板之该表面 ;及 在该电浆处理室内,对该基板施以一正偏压[positive bias],使得该电浆之电子轰击该基板之该表面,以 加热该基板之该表面。 2.如申请专利范围第1项所述之电浆处理室内基板 之表面加热方法,其中该电浆处理过程系为沉积或 溅镀,以形成一覆盖层。 3.如申请专利范围第2项所述之电浆处理室内基板 之表面加热方法,其中该电浆处理步骤与加热步骤 系重覆执行。 4.如申请专利范围第1项所述之电浆处理室内基板 之表面加热方法,其中该电浆处理过程系为蚀刻。 5.如申请专利范围第1项所述之电浆处理室内基板 之表面加热方法,其中该在加热步骤中所提供之正 偏压系为脉冲正偏压。 6.如申请专利范围第5项所述之电浆处理室内基板 之表面加热方法,其中该脉冲正偏压之波幅系呈调 变[modulated]。 7.一种低温多晶矽膜之形成方法,其包含: 提供一基板,其中该基板系放置于一电浆处理室内 ,且该基板具有一显露于电浆之表面; 在该电浆处理室内,以一电浆处理该基板之该表面 ,以形成一非晶矽膜;及 在该电浆处理室内,对该基板施以一正偏压[positive bias],使得该电浆之电子轰击该基板之该表面之非 晶矽膜,以加热该非晶矽膜而转换成一多晶矽膜。 8.如申请专利范围第7项所述之低温多晶矽膜之形 成方法,其中该电浆沉积过程系为电浆促进化学气 相沉积[Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD]。 9.如申请专利范围第7项所述之低温多晶矽膜之形 成方法,其中该电浆沉积步骤与该加热步骤系重覆 执行。 10.如申请专利范围第7项所述之低温多晶矽膜之形 成方法,其中该在加热步骤中所提供之正偏压系为 脉冲正偏压。 11.如申请专利范围第7项所述之低温多晶矽膜之形 成方法,其中该脉冲正偏压之波幅系呈调变[ modulated]。 12.一种电浆处理设备,其包含: 一处理室; 一抽气装置,用以调控该处理室之压力至接近真空 状态; 一气体供应装置,用以提供一气体至该处理室; 一电浆产生装置,用以在该处理室内由该气体产生 并维持一电浆;及 一载台,用以承载一基板于该处理室内部,该载台 系并联有一接地电位及一正偏压电源,该正偏压电 源系设于该处理室外部,用以感应该处理室内电浆 之电子轰击该基板。 13.如申请专利范围第12项所述之电浆处理设备,其 中该正偏压电源系产生脉冲正偏压至该载台。 14.如申请专利范围第12或13项所述之电浆处理设备 ,其中该正偏压电源系连接有一整波器。 15.如申请专利范围第12项所述之电浆处理设备,其 中该电浆产生装置系包含有一RF射频电源器。 16.如申请专利范围第12项所述之电浆处理设备,其 中该电浆产生装置系包含有一微波电源器。 17.如申请专利范围第12项所述之电浆处理设备,其 另包含有一磁控装置,用以在该处理室内产生磁场 ,使得该电浆之电子回旋。 图式简单说明: 第1图:依本发明之一具体实施例,一电浆处理设备 之截面图; 第2图:依本发明之一具体实施例,该电浆处理设备 之正偏压波形示意图; 第3A至3D图:依本发明之一具体实施例,在该处理室 内电浆处理与加热该基板之示意图;及 第4A至4B图:依本发明之另一具体实施例,在该处理 室内电浆处理与加热该基板之示意图。 |
