Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einem ersten Transistor und einem zweiten Transistor, die beide einen ersten Source-/ersten Drainbereich (120) eines ersten Leitfähigkeitstyps und ein Gate (140) aufweisen, sowie auf ein Verfahren zur Herstellung desselben. DOLLAR A Erfindungsgemäß ist der erste Transistor ein Aus-Transistor (200) mit einem zweiten Source-/zweiten Drainbereich (260) des ersten Leitfähigkeitstyps, wobei der zweite Source-/zweite Drainbereich wenigstens einen Teil des ersten Source-/ersten Drainbereichs in dem ersten Transistor umgibt. DOLLAR A Verwendung z. B. für Masken-ROM-Halbleiterbauelemente.