| 发明名称 | 集成电路金属硅化物方法 | ||
| 摘要 | 在MOS晶体管的源极及漏极区域(60)中形成含氟区域(70)。在所述含氟区域(70)与所述源极及漏极区域(60)上形成一金属层(90)。使所述金属层与下伏的含氟区域发生反应以形成一金属硅化物。 | ||
| 申请公布号 | CN1965403A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200580014785.7 | 申请日期 | 2005.03.17 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 路炯平;岳多丰;刘小战;唐纳德·S·迈尔斯;兰斯·S·罗伯逊 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/44(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
| 主权项 | 1、一种用于形成MOS晶体管的方法，其包括：在一半导体上形成一介电层；在所述介电层上形成一栅电极结构；将掺杂剂物质植入所述半导体中毗邻于所述栅电极结构处以形成源极及漏极区域；在所述源极及漏极区域中形成含氟区域；在所述源极及漏极区域和所述含氟区域上形成一金属层；及使所述金属层与所述下伏的含氟区域发生反应以在所述源极及漏极区域中形成金属硅化物区域。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||