| 发明名称 | 磁记录介质 | ||
| 摘要 | 提供一种磁记录介质。该介质包括磁记录层和支承磁记录层的衬底，其中磁记录层由多孔晶体隔离薄膜构成，该薄膜能够通过微孔磁性地及物理地隔离晶体，其中所述孔的尺寸的标准偏差不大于注入所述孔内的磁记录材料的晶粒尺寸的30％。从Co、Fe、Ni、Cr、Pt、Pd、Ti、Ta、Ru、Si、Al、Nb、B、Nd、Sm以及Pr中选出的一种过渡金属元素或该元素的合金被注入孔内。该磁记录介质具有良好的热稳定性和S/N特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1316456C | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200410082257.2 | 申请日期 | 2004.12.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李丙圭;吴薰翔 |
| 分类号 | G11B5/66(2006.01) | 主分类号 | G11B5/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种磁记录介质，包括一磁记录层和支承该磁记录层的一衬底，其中所述磁记录层由能够通过微孔磁性地并物理地隔离晶体的多孔晶体隔离薄膜构成，其中所述孔的尺寸的标准偏差不大于注入所述孔内的磁记录材料的晶粒尺寸的30％。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||