| 发明名称 | 存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于使用和便宜的存储器件，同时即使当存储器与其它功能电路在同一衬底上形成时，仍然保持产品规格和生产率。本发明的存储器件包括在绝缘表面上形成的存储单元。该存储单元包括具有两个杂质区域的半导体薄膜、栅极、以及连接相应杂质区域的两条接线。通过在栅极和两条接线的至少之一之间施加电压这两条接线彼此绝缘，以改变半导体薄膜的状态。 | ||
| 申请公布号 | CN1965408A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200580018287.X | 申请日期 | 2005.05.31 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 加藤清;山口哲司;浅野悦子;泉小波 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈斌 |
| 主权项 | 1.一种存储器件，包括在绝缘表面上形成的存储单元，所述存储单元包括具有两个杂质区域的半导体薄膜、栅极、以及连接相应杂质区域的两条接线，其中通过在所述栅极和所述两条接线的至少之一之间施加电压来改变夹在所述存储单元的两条接线之间的所述半导体薄膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||