| 发明名称 | 在低温下形成的用于MEMS封装的耐热气密性密封 | ||
| 摘要 | 一些气密性密封的器件(诸如微机电系统(MEMS))可能对高处理温度敏感。但是，密封应该能够耐受例如在器件操作期间可能遇到的较高的温度。气密性密封可以通过无助焊剂焊接途径来实现，所述无助焊剂焊接途径包括包含诸如铟(In)或锡(Sn)的低熔点(LMP)组分和诸如金(Au)、银(Ag)或铜(Cu)的高熔点(HMP)组分的焊料组合。LMP/HMP的比率被选择为富含HMP组分，使得在结合和热退火之后，LMP组分基本上被耗尽，生成具有比最初的HMP/LMP处理温度高的熔点的金属间化合物(IMC)。 | ||
| 申请公布号 | CN1964915A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200580018496.4 | 申请日期 | 2005.04.08 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | D·卢;约翰·赫克 |
| 分类号 | B81B7/00(2006.01);H01L23/10(2006.01) | 主分类号 | B81B7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 | 代理人 | 严慎 |
| 主权项 | 1.一种具有耐热气密性密封的装置，包括：衬底；在所述衬底上的对环境敏感的器件；盖在所述器件之上的盖覆；以及在所述盖覆和所述衬底之间的气密性密封，所述气密性密封包括：高熔点(HMP)组分和利用一处理温度由所述HMP组分和低熔点(LMP)组分形成的金属间化合物(IMC)，所述IMC具有比所述处理温度高的熔化温度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||