| 发明名称 | 硅基芴的单体材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅基芴的单体材料及其制备方法，本发明提供的硅基芴的单体材料，具有较好的载流体注入及传输能力，较高的发光性能，及良好的成膜性能、良好的热稳定性。可以广泛用于光电装置，例如电致发光器件、光伏打电池、场致晶体管、发光二极管以及光电化学电池等领域。其结构通式如(1)或(2)所示。 | ||
| 申请公布号 | CN1962667A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200610118976.4 | 申请日期 | 2006.12.01 |
| 申请人 | 上海复旦天臣新技术有限公司 | 发明人 | 徐良衡;徐礼玲;姚红兵;沈杨;高芸 |
| 分类号 | C07F7/08(2006.01);C09K11/06(2006.01) | 主分类号 | C07F7/08(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 罗大忱 |
| 主权项 | 1.一种硅基芴的单体材料，其结构通式如(1)或(2)所示：<img file="A2006101189760002C1.GIF" wi="1364" he="405" />其中：R为含有4-20个碳的烷基；R2＝H或含1-20个碳的烷基或含1-20个碳的烷氧基，R<sub>1</sub>为含有1-20个碳的烷基。 | ||
| 地址 | 200433上海市杨浦区国泰路127弄1号楼5楼 | ||