| 发明名称 | 加工方法和半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其解决方法包括如下的工序：在被加工膜上形成用有机树脂构成的有机膜的工序；减小上述有机膜的内部应力的工序；向上述有机膜照射加工光，选择除去上述加工区域的上述有机膜的工序；以上述有机膜为掩模，刻蚀上述被加工膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1963994A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200610162952.9 | 申请日期 | 2004.08.10 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 竹石知之;川野健二;池上浩;伊藤信一;渡濑正美 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01);B23K26/00(2006.01);B23K101/40(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;杨光军 |
| 主权项 | 1.一种加工方法，其特征在于：包括如下的工序：在被口工膜上形成用有机树脂构成的有机膜的工序；减小上述有机膜的内部应力的工序；向上述有机膜照射加工光，选择除去上述加工区域的上述有机膜的工序；以上述有机膜为掩模，刻蚀上述被加工膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||