具有改良阻挡层接着力的互连结构

摘要

一种半导体装置，包括具有改良阻挡层与介电层的接着力的互连结构，该半导体装置是在含氨及氮的大气中通过对介电层的暴露表面进行激光热退火而形成，并随后沉积钽以形成合成阻挡层。实施例包括形成在内介电层(例如衍生自掺氟四乙基原硅酸盐的含氟二氧化硅)中的双镶嵌开口、在氨及氮中激光热退火该暴露的二氧化硅表面(17)、沉积钽并接着以铜填补该开口。当形成富含氮的表面区域时，在氨及氮中进行激光热退火以减少氟的暴露表面，已沉积的钽与在该富含氮的表面区域中氮起反应以形成包括分级的氮化钽层及α相钽层的合成阻挡层。

主权项

1.一种用于制造半导体装置的方法，该方法包括：在介电层(15、13)中形成开口(16)；在含氮的大气中对该介电层(15、13)的暴露表面(17)进行退火，以在该暴露表面上提供增氮的表面区域(19)；以及形成包括沿该开口排列的钽的合成阻挡层(20、21)，其中，该合成阻挡层包括：在该增氮的表面区域(19)上的分级的氮化钽层(20)，该分级的氮化钽层在远离增氮的表面区域(19)的方向上的氮含量渐减；以及在该分级的氮化钽层(20)上的α相钽层(21)。