发明名称 |
薄膜晶体管的制造方法 |
摘要 |
一种薄膜晶体管的制造方法,其先提供基板。接着,于基板上形成多晶硅岛状物。再来,形成栅绝缘层以覆盖多晶硅岛状物。继之,于栅绝缘层上形成栅极。之后,于栅极两侧下方的多晶硅岛状物中形成源极/漏极,而源极/漏极之间即是通道区,其中形成多晶硅岛状物与栅极至少其中之一种方法是利用下述图案的形成方法,此图案的形成方法是用来形成非连续膜层,以降低膜层应力。之后,对非连续膜层进行图案化工艺以形成图案。本发明之薄膜晶体管的制造方法由于利用了上述图案的形成方法,而可消除因应力不均所造成的基板翘曲的现象,进而能提高薄膜晶体管的制造合格率。 |
申请公布号 |
CN1964005A |
申请公布日期 |
2007.05.16 |
申请号 |
CN200510117690.X |
申请日期 |
2005.11.08 |
申请人 |
中华映管股份有限公司 |
发明人 |
张锡明 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
北京连和连知识产权代理有限公司 |
代理人 |
薛平 |
主权项 |
1.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征是包括:提供基板;于该基板上形成多晶硅岛状物;形成栅绝缘层以覆盖该多晶硅岛状物;于该栅绝缘层上形成栅极;以及于该栅极两侧下方之该多晶硅岛状物中形成源极/漏极,而该源极/漏极之间即是通道区;其中形成该多晶硅岛状物与该栅极至少其中之一种方法包括:形成非连续膜层,以降低该膜层应力;以及对该非连续膜层进行图案化工艺以形成该多晶硅岛状物或该栅极图案。 |
地址 |
台湾省台北市中山北路三段二十二号 |