发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
本发明的课题是,既能防止在最上层具有铜层的密封环的氧化及腐蚀,又能防止在切割时的电路形成区发生裂纹。在钝化膜(120)上形成直达层间绝缘膜(109)的开口部(123)。开口部(123)以包围密封环(110)的外侧的方式配置。也就是说,因为第2布线层(114)上表面完全被钝化膜(120)覆盖,所以第2布线层(114)的上表面未暴露于大气中。因而,能够防止因第2布线层的氧化、腐蚀而使密封环(110)对半导体器件的保护效果变差。并且,由于开口部(123)的存在,对切割区进行切割时的应力难以传递到电路形成区上的钝化膜(120)上,从而能够防止裂纹进入电路形成区。 |
申请公布号 |
CN1316585C |
申请公布日期 |
2007.05.16 |
申请号 |
CN03110451.7 |
申请日期 |
2003.04.15 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
富田和朗 |
分类号 |
H01L21/71(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/71(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
刘宗杰;叶恺东 |
主权项 |
1.一种半导体器件,具有以包围半导体芯片的电路形成区的方式在上述半导体芯片的边缘部附近的层间绝缘膜内形成的密封环;以及以覆盖上述半导体芯片的表面的方式在上述密封环上方形成的钝化膜,其特征在于,上述钝化膜具有在上述电路形成区的外侧露出上述层间绝缘膜上表面的第1开口部,上述密封环的最上层的上表面被上述钝化膜覆盖。 |
地址 |
日本东京都 |