| 主权项 |
1.一种半导体发光装置,包括:一基板;一发光层;一半导体层,其系为第一种第III族氮化物六方晶;及一覆层,其系为第二种第III族氮化物结晶,其中:于该半导体层中沿<1.1.-2.0>取向提供条状凹槽。2.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该条状凹槽相对于该基板主要表面之斜度系由约20之角度延伸至约80。3.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该半导体层之电阻系数系大于该覆层。4.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该半导体层之电导系数类型系与覆层相反。5.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该半导体层之折射率系小于该覆层。6.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该半导体层系包括AlxGa1-xN(0<x<1),且该覆层系包括AlyGa1-yN(0≦y≦1且y<x)。7.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中:该覆层系包括一沿着(1,-1,0,1)刻面延伸之凹槽。8.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该条状凹槽系藉着各向同性乾式蚀刻方法形成。9.一种制造半导体发光装置之方法。该方法包括步骤有:提供一发光层;提供一第一种第III族氮化物六方结晶之半导体层;于该半导体层中沿着<1,-1,-2,0>取向藉各向同性乾式蚀刻法提供条状凹槽;及于该提供条状凹槽步骤之后,于该半导体层上提供第二种第III族氮化物结晶之覆层。10.如申请专利范围第9项之制造半导体发光装置之方法,其中于提供条状凹槽之步骤中,该条状凹槽之斜度相对于基板主要表面系延伸于约20之角度至约80之角度。11.如申请专利范围第9项之制造半导体发光装置之方法,其中该覆层系由结晶生长法提供,使得该条状凹槽上之结晶生长速率大于非条状凹槽之表面。12.如申请专利范围第9项之制造半导体发光装置之方法,其中用以提供该条状凹槽之步骤中所使用之各向同性乾式蚀刻法系为反应性离子蚀刻法,使用含有氯化硼及氮之混合气体。13.如申请专利范围第9项之制造半导体发光装置之方法,其中用以提供该条状凹槽之步骤包括步骤有:于该半导体层上提供一罩幕,具有沿着<1,1,-2,0>取向之条状开口;于提供该罩幕之后,藉着各向同性乾式蚀刻法于该半导体层中提供条状凹槽;及于提供该条状凹槽之步骤之后取除该罩幕。14.如申请专利范围第13项之制造半导体发光装置之方法,其中系使用一抗蚀剂罩幕作为罩幕。图式简单说明:第一图系为说明本发明之一具体实例之半导体雷射装置的图;第二图系为说明该半导体雷射装置之发光层剖面的图;第三图系为说明习用半导体雷射装置之图;且第四图系为说明习用半导体雷射装置之中间结构的图。 |
