| 主权项 |
1.一种晶圆基座(pedestal),适用于一电浆反应室中承 载一晶圆,包含: 一绝缘本体,具有一凹槽; 一导体层,镶嵌于该凹槽,该导体层包含一上部突 出于该凹槽,且该上部的宽度小于该导体层其他部 分的宽度;以及 一陶瓷盖板,于该绝缘本体与至少部分该导体层上 ; 其中,在该晶圆基座承载该晶圆时,该导体层完全 被覆盖。 2.如申请专利范围第1项所述之晶圆基座,其中该上 部的宽度小于该晶圆的直径。 3.如申请专利范围第2项所述之晶圆基座,其中该陶 瓷盖板更包含一中空部,容纳该导体层的该上部。 4.如申请专利范围第2项所述之晶圆基座,其中该陶 瓷盖板更包含一中空部,容纳并暴露该导体层的该 上部。 5.如申请专利范围第1项所述之晶圆基座,其中该陶 瓷盖板为环形。 6.如申请专利范围第1项所述之晶圆基座,其中该绝 缘本体包含二氧化矽。 7.如申请专利范围第1项所述之晶圆基座,其中该导 体层包含钛。 8.如申请专利范围第1项所述之晶圆基座,其中该陶 瓷盖板包含氧化铝。 9.一种晶圆基座(pedestal),适用于一电浆反应室中承 载一晶圆,包含: 一绝缘本体,具有一凹槽; 一钛金属层,具有一底部镶嵌于该凹槽、与一窄于 该底部与该晶圆的上部突出于该凹槽;以及 一环状的陶瓷盖板,于该绝缘本体与部分该钛金属 层上,该陶瓷盖板并具有一中空部,容纳该钛金属 层的该上部; 其中,在该晶圆基座承载该晶圆时,该导体层完全 被覆盖。 10.如申请专利范围第9项所述之晶圆基座,其中该 陶瓷盖板的该中空部更暴露该钛金属层的该上部 。 11.如申请专利范围第9项所述之晶圆基座,其中该 陶瓷盖板包含氧化铝。 图式简单说明: 第1图为一剖面示意图,系显示一传统的晶圆基座 100在一电浆反应室200的作动情形。 第2图为第1图之传统的晶圆基座100的俯视图。 第3图为一剖面示意图,系显示本发明之晶圆基座 300在电浆反应室200'内的实施情形,其中在晶圆基 座300已有一晶圆20。 第4图为第3图之晶圆基座300的俯视图。 第5图为一管制图,显示分别使用绘示于第1图之传 统的晶圆基座100与本发明之晶圆基座300时,粒子污 染的不同。 第6A图为一管制图,系显示分别使用绘示于第1图之 传统的晶圆基座100与本发明之晶圆基座300时,蚀刻 厚度的不同。 第6B图为一管制图,系显示分别使用绘示于第1图之 传统的晶圆基座100与本发明之晶圆基座300时,晶圆 平坦度的比较。 |
