| 主权项 |
1.一种半导体图像检测器模组,其特征在于至少具 备 半导体图像检测器晶片,其系于半导体基板之第1 主面具有电晶体形成区域,于该第1主面之相反侧 之第2主面形成具有光入射面之光电转换区域者; 及图像信号处理晶片,其系信号处理由上述半导体 图像检测器晶片所形成之图像信号者; 于上述半导体图像检测器晶片之第1主面形成有复 数凸块电极; 于上述图像信号处理晶片上形成有复数凸块电极; 经由散热机构而层叠形成上述半导体图像检测器 晶片与上述图像信号处理晶片; 电性连接上述半导体图像检测器晶片之复数凸块 电极与上述图像信号处理晶片上之复数凸块电极 。 2.如请求项1之半导体图像检测器模组,其中 上述散热机构系以导电材料形成; 于上述散热机构,对应上述复数凸块电极之部分形 成有开口部,于该开口部内形成有以绝缘材料围绕 之导电性电极; 经由该导电性电极而电性连接上述半导体图像检 测器晶片之复数凸块电极与上述图像信号处理晶 片上之复数凸块电极。 3.如请求项1之半导体图像检测器模组,其中 上述散热机构系以绝缘材料形成; 于上述散热机构,对应上述复数凸块电极之部分形 成有开口部,于上述开口部内形成有导电性电极; 经由该导电性电极而电性连接上述半导体图像检 测器晶片之复数凸块电极与上述图像信号处理晶 片上之复数凸块电极。 4.如请求项1之半导体图像检测器模组,其中 上述散热机构系以隔热材与热传导材料之两层构 造形成; 于上述散热机构,对应上述复数凸块电极之部分形 成有开口部,于上述开口部内形成有导电性电极; 使上述散热机构之隔热材侧与上述半导体图像检 测器晶片接触,且使上述热传导材料侧与上述图像 信号处理晶片接触,经由该导电性电极而电性连接 上述半导体图像检测器晶片之复数凸块电极与上 述图像信号处理晶片上之复数凸块电极。 5.如请求项1之半导体图像检测器模组,其中 上述半导体图像检测器晶片之复数凸块电极与上 述图像信号处理晶片上之复数凸块电极藉由于双 面形成有凸块电极之连接用中间构件电性连接; 以由上述连接用中间构件所围绕之方式形成上述 散热机构。 6.如请求项1之半导体图像检测器模组,其中 上述散热机构兼作对上述图像信号处理晶片之遮 光板。 7.一种半导体图像检测器模组之制造方法,其特征 在于具备: 于半导体图像检测器晶片之第1主面形成复数凸块 电极之步骤,该半导体图像检测器晶片系于半导体 基板之第1主面具有电晶体形成区域,于该第1主面 之相反侧之第2主面形成具有光入射面之光电转换 区域者; 于图像信号处理晶片上形成复数凸块电极之步骤, 该图像信号处理晶片系信号处理由半导体图像检 测器晶片所形成之图像信号者; 经由散热机构而层叠形成上述半导体图像检测器 晶片与上述图像信号处理晶片之步骤;及 电性连接上述半导体图像检测器晶片之复数凸块 电极与上述图像信号处理晶片上之复数凸块电极 之步骤。 8.一种照相机,其特征在于具备半导体图像检测器 模组及透镜, 该半导体图像检测器模组系至少具备: 半导体图像检测器晶片,其系于半导体基板之第1 主面具有电晶体形成区域,于该第1主面之相反侧 之第2主面形成具有光入射面之光电转换区域者; 及图像信号处理晶片,其系信号处理由半导体图像 检测器晶片所形成之图像信号者; 于上述半导体图像检测器晶片之第1主面形成有复 数凸块电极; 于上述图像信号处理晶片上形成有复数凸块电极; 经由散热机构而层叠形成上述半导体图像检测器 晶片与上述图像信号处理晶片; 电性连接上述半导体图像检测器晶片之复数凸块 电极与上述图像信号处理晶片上之复数凸块电极; 该透镜系于上述半导体图像检测器模组之上述第2 主面侧。 9.如请求项8之照相机,其中 上述散热机构系以导电材料形成; 于上述散热机构,对应上述复数凸块电极之部分形 成有开口部,于该开口部内形成有以绝缘材料围绕 之导电性电极; 经由该导电性电极而电性连接上述半导体图像检 测器晶片之复数凸块电极与上述图像信号处理晶 片上之复数凸块电极。 10.如请求项8之照相机,其中 上述散热机构系以绝缘材料形成; 于上述散热机构,对应上述复数凸块电极之部分形 成有开口部,于上述开口部内形成有导电性电极; 经由该导电性电极而电性连接上述半导体图像检 测器晶片之复数凸块电极与上述图像信号处理晶 片上之复数凸块电极。 11.如请求项8之照相机,其中 上述散热机构系以隔热材与热传导材料之两层构 造形成; 于上述散热机构,对应上述复数凸块电极之部分形 成有开口部,于上述开口部内形成有导电性电极; 使上述散热机构之隔热材侧与上述半导体图像检 测器晶片接触,且使上述热传导材料侧与上述图像 信号处理晶片接触,经由该导电性电极而电性连接 上述半导体图像检测器晶片之复数凸块电极与上 述图像信号处理晶片上之复数凸块电极。 12.如请求项8之照相机,其中 上述半导体图像检测器晶片之复数凸块电极与上 述图像信号处理晶片上之复数凸块电极藉由于双 面形成有凸块电极之连接用中间构件电性连接; 以由上述连接用中间构件所围绕之方式形成上述 散热机构。 13.如请求项8之照相机,其中 上述散热机构兼作对上述图像信号处理晶片之遮 光板。 14.一种照相机之制造方法,其特征在于具备: 于半导体图像检测器晶片之第1主面形成复数凸块 电极之步骤,该半导体图像检测器晶片系于半导体 基板之第1主面具有电晶体形成区域,于该第1主面 之相反侧之第2主面形成具有光入射面之光电转换 区域者; 于图像信号处理晶片上形成复数凸块电极之步骤, 该图像信号处理晶片系信号处理由半导体图像检 测器晶片所形成之图像信号者; 经由散热机构而层叠形成上述半导体图像检测器 晶片与上述图像信号处理晶片之步骤; 电性连接上述半导体图像检测器晶片之复数凸块 电极与上述图像信号处理晶片上之复数凸块电极 之步骤;及 于上述半导体图像检测器模组之上述第2主面侧形 成透镜之步骤。 图式简单说明: 图1A系表示关于本发明之背面照射型之半导体图 像检测器模组之一实施形态之分解立体图。B系图 1A之组装后之立体图。C系图1B之侧面图。 图2系表示关于本发明之背面照射型半导体图像检 测器模组之其他实施形态之概略构成图。 图3系表示散热板之一例之剖面图(其1)。 图4系表示散热板之一例之剖面图(其2)。 图5系表示散热板之一例之剖面图(其3)。 图6A系表示关于本发明之背面照射型之半导体图 像检测器模组之一实施形态之分解立体图。B系图 6A之组装后之立体图。C系图6B之侧面图。 图7系表示背面照射型半导体图像检测器模组之一 例之构成图。 图8关于先前例之构装构造之概略构成。 图9系关于本发明之实施形态之照相机之剖面图。 |
