| 主权项 |
1.一种于一蚀刻处理器内蚀刻一晶圆之方法,该蚀 刻处理器包括一用于固定该晶圆之夹盘,及一用于 报告在一内部区域和一外部区域之该晶圆之至少 一温度的复数个温度感应器,该夹盘包括一加热该 内部区域之第一加热器及一加热该外部区域之第 二加热器,该等第一及第二加热器系由一温控系统 所控制,该等温度感应器被可操作地耦合至该温控 系统,以使该夹盘之温度维持于一可选择之设定点 温度,该方法包括: 选择一第一内部设定点温度和一第一外部设定点 温度,及一第二内部设定点温度和一第二外部设定 点温度; 将该晶圆置于夹盘之上; 将夹盘之该内部区域加热至该第一内部设定点温 度,以及将夹盘之该外部区域加热至第一外部设定 点温度;且 在处理达一段时间时,将该夹盘温度由该第一内部 设定点温度渐变为该第二内部设定点温度,以及由 该第一外部设定点温度渐变为该第二设定点温度 。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一内部和 外部设定点温度分别高于该第二内部和外部设定 点温度。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一内部和 外部设定点温度分别小于该第二内部和外部设定 点温度。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该夹盘包括复 数个热区段。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该温度渐变进 一步包括: 将该晶圆之该内部区域加热至该第二内部设定点 温度;且 将该晶圆之该外部区域加热至该第二外部设定点 温度。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该温度渐变进 一步包括: 将该晶圆之该内部区域冷却至该第二内部设定点 温度;且 将该晶圆之该外部区域冷却至该第二外部设定点 温度。 7.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括: 藉由选择该第一内部和外部设定点温度及该第二 内部和外部设定点温度,控制该晶圆之一曲线。 8.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括: 藉由选择该第一内部和外部设定点温度及该第二 内部和外部设定点温度,控制该晶圆内沟槽之一锥 度。 9.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括: 藉由选择该第一内部和外部设定点温度及该第二 内部和外部设定点温度,控制该晶圆之一顶部及底 部沟槽之圆整。 10.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括: 藉由选择该第一内部和外部设定点温度及该第二 内部和外部设定点温度,控制晶圆内沟槽之一弧。 11.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括: 藉由选择该第一内部和外部设定点温度及该第二 内部和外部设定点温度,控制该晶圆内沟槽之一条 纹。 12.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括: 藉由选择该第一内部和外部设定点温度及该第二 内部和外部设定点温度,控制该晶圆内沟槽之一磨 刻面。 13.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括: 藉由选择该第一内部和外部设定点温度及该第二 内部和外部设定点温度,控制该晶圆之一临界尺寸 。 14.一种于一蚀刻处理器内蚀刻一晶圆之方法,该蚀 刻处理器包括一用于固定该晶圆之夹盘,及一用于 报告在该晶圆之一内部区域和一外部区域之该晶 圆之至少温度的复数个温度感应器,该夹盘包括一 第一加热器和一第二加热器,系分别加热该内部区 域和该外部区域,该第一和第二加热器系由一温控 系统所控制,该等复数个温度感应器被可操作地耦 合至该温控系统,以使该夹盘之温度维持于一可选 择之设定点温度,该方法包括: 选择一第一内部设定点温度和一第一外部设定点 温度; 选择一第二内部设定点温度和一第二外部设定点 温度; 将该晶圆置于夹盘之上; 将该晶圆之该内部区域加热至该第一内部设定点 温度并该该晶圆之该外部区域加热至该第一外部 设定点温度; 于该第一内部和外部设定点温度下处理晶圆达第 一段时间; 将晶圆温度改变至该第二内部和外部设定点温度; 且 于该第二内部和外部设定点温度下处理晶圆达第 二段时间。 15.如申请专利范围第14项之方法,进一步包括: 允许该晶圆于该等处理步骤之间冷却。 16.如申请专利范围第14项之方法,进一步包括: 允许该晶圆于该等处理步骤之间加热。 17.如申请专利范围第14项之方法,其中该第一内部 和外部设定点温度分别小于该第二内部和外部设 定点温度。 18.如申请专利范围第14项之方法,其中该第一内部 和外部设定点温度分别高于该第二内部和外部设 定点温度。 19.如申请专利范围第14项之方法,其中该夹盘包括 复数个热区段。 20.如申请专利范围第14项之方法,进一步包括: 藉由选择该第一内部和外部设定点温度及该第二 内部和外部设定点温度,控制该晶圆之一曲线。 21.如申请专利范围第14项之方法,进一步包括: 藉由选择该第一内部和外部设定点温度及该第二 内部和外部设定点温度,控制该晶圆内沟槽之一锥 度。 22.如申请专利范围第14项之方法,进一步包括: 藉由选择该第一内部和外部设定点温度及该第二 内部和外部设定点温度,控制该晶圆内沟槽之一弧 。 23.如申请专利范围第14项之方法,进一步包括: 藉由选择该第一内部和外部设定点温度及该第二 内部和外部设定点温度,控制该晶圆内沟槽之一条 纹。 24.如申请专利范围第14项之方法,进一步包括: 藉由选择该第一内部和外部设定点温度及该第二 内部和外部设定点温度,控制该晶圆内沟槽之一磨 刻面。 25.如申请专利范围第14项之方法,进一步包括: 藉由选择该第一内部和外部设定点温度及该第二 内部和外部设定点温度,控制该晶圆之一临界尺寸 。 26.一种蚀刻一晶圆之方法,其包括: 选择一第一内部设定点温度和一第一外部设定点 温度,及一第二内部设定点温度和一第二外部设定 点温度; 于处理中将一晶圆固定至一夹盘之顶部表面; 将该顶部表面配置成复数个区段,区段冷却剂气体 可沿该等区段流入并在该顶部表面与该晶圆之下 部之间流动; 接受一冷却气体进入个别区段;且 于个别区段内单独控制区段冷却剂气体之压力,从 而在处理该晶圆期间,于一第一段时间使温度控制 在该第一内部和外部设定点温度,且于一第二段时 间使温度控制在该第二内部和外部设定点温度。 图式简单说明: 图1是一根据本发明一特定实施例用于执行蚀刻方 法之蚀刻设备之方块图。 图2是一根据本发明另一特定实施例用于执行蚀刻 方法之蚀刻设备之方块图。 图3是一根据本发明一特定实施例用于执行蚀刻方 法之夹盘之方块图。 图4A是一展示一根据本发明一特定实施例蚀刻一 晶圆之方法之流程图。 图4B是一展示一根据本发明另一特定实施例蚀刻 一晶圆之方法之流程图。 图4C是一展示一根据本发明再一特定实施例蚀刻 一晶圆之方法之流程图。 图5是一显示一晶圆于根据本发明一特定实施例一 蚀刻过程中之温度变化曲线图。 图6A是一蚀刻晶圆上一传统沟槽之截面图。 图6B是一根据本发明一特定实施例蚀刻之晶圆上 一沟槽之截面图。 |
