制造五氧化二钽-铝氧化物薄膜之方法及使用该薄膜之半导体装置

摘要

本发明系关于一种制造TA2O5–AL2O3薄膜之方法与使用该薄膜之半导体装置。钽成份之化学蒸气、铝成分之化学蒸气和过度的氧气在LPCVD室内表面化学反应以在基材上形成非晶矽状态的(Ta2O5)1–x–(Al2O3)x薄膜。退火该非晶矽状态之(Ta2O5)1–x–(Al2O3)x以形成晶体状态之(Ta2O5)1–x–(Al2O3)x，其与既存之TA2O5薄膜相比较，具有高介电常数及稳定化学计量。此时，施加该晶体(Ta2O5)1–x–(Al2O3)x至半导体装置。