第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件

摘要

一种第III族氮化物化合物半导体发光器件包括多层，所述多层具有含有InGaN阱层和AlGaN势垒层的量子势阱结构。控制作为阱层的InGaN层的膜厚度、生长速率和生长温度，以及作为势垒层的AlGaN层的膜厚度至最佳化，由此改善发光器件的输出。

主权项

1.一种第III族氮化物化合物半导体发光器件，其包括：具有量子势阱结构的多层，所述量子势阱结构含有InGaN阱层和AlGaN势垒层；和位于所述多层下面的中间层，其中所述中间层包含：比所述InGaN阱层厚的InGaN第一中间层，所述第一中间层不含杂质，以及在所述第一中间层上的第二中间层，所述第二中间层不含杂质。