| 发明名称 | 形成半导体布线和最终器件的方法 | ||
| 摘要 | 公开了用于由硅或其他半导体材料形成布线的方法。还公开了包括这种半导体布线的各种装置。根据一个实施例，布线与下面的衬底分隔开，并且布线在第一端部和相对的第二端部之间延伸，第一和第二端部中的每一个都贴附于衬底。介绍并要求保护其他实施例。 | ||
| 申请公布号 | CN1961413A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
| 申请号 | CN200580017353.1 | 申请日期 | 2005.06.20 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 彼得·L·D·昌 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L29/423(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种方法，包括：氧化设置在衬底上的半导体本体内部区域下面的部分衬底，该内部区域在该半导体本体的相对的端部区域之间延伸；去除该下面衬底的氧化部分，以形成将该半导体本体的内部区域与该衬底分开的钻蚀部分。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||