发明名称 |
集成电路的斜有源区域半导体组件结构 |
摘要 |
本发明的半导体组件结构特征在于包含:栅氧化层,位于衬底之上;栅极位于上述栅氧化层之上;斜有源区域(titled active area),位于该衬底的中,该栅极的两侧;接触窗(contact window),配置于相对应之上述斜有源区域(titled active area)之上;氧化线性间隙壁(oxide linespacer;OLS),配置于对应的该接触窗(contact window)之侧,以加宽接触区域用做为存储单元(cell)或储存电极(storage node)接触结构。 |
申请公布号 |
CN1315193C |
申请公布日期 |
2007.05.09 |
申请号 |
CN03143423.1 |
申请日期 |
2003.09.30 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
三重野文健 |
分类号 |
H01L27/108(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/108(2006.01) |
代理机构 |
上海新高专利商标代理有限公司 |
代理人 |
楼仙英 |
主权项 |
1.一种半导体组件结构,其特征在于包含:栅氧化层,位于衬底之上;栅极位于上述栅氧化层之上;斜有源区域,位于该衬底之中的该栅极两侧;接触窗,配置于相对应之上述斜有源区域之上;氧化线性间隙壁,配置于对应该接触窗之侧,以加宽接触区域用做为存储单元接触结构。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 |