发明名称 半导体存储设备
摘要 在根据本发明方面的半导体存储设备的写入方法中,通过使用由流过写入线的写入电流产生的磁场来执行写入,以便将写入线的一端建立成浮动状态,经由写入线的另一端开始从第一电源线给写入线充电,在开始充电后将写入线的一端连接到第二电源线,将写入电流提供给写入线,并且进行写入。
申请公布号 CN1959842A 申请公布日期 2007.05.09
申请号 CN200610142573.3 申请日期 2006.10.30
申请人 株式会社东芝 发明人 稻场恒夫
分类号 G11C11/02(2006.01) 主分类号 G11C11/02(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 潘士霖
主权项 1.一种半导体存储设备的写入方法,其使用写入电流产生的磁场进行写入,包括:将写入线连接到第一电源线,并在开始给写入线充电后将写入线的一端连接到第二电源线;以及向写入线提供写入电流以便进行数据写入。
地址 日本东京都