| 发明名称 | 氮化物半导体发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种氮化物半导体发光元件，其包括依次叠置在衬底上的第一导电型氮化物半导体层、有源层和第二导电型氮化物半导体层，其中位于第二导电型氮化物半导体层上方的光取出表面具有圆锥或棱锥状凸部。本发明还提供了该氮化物半导体发光元件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1960015A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
| 申请号 | CN200610136622.2 | 申请日期 | 2006.10.31 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 内海孝昭;幡俊雄;木村大觉 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体发光元件，包括：依次叠置在衬底上的第一导电型氮化物半导体层；有源层；和第二导电型氮化物半导体层；其中位于所述第二导电型氮化物半导体层上方的光取出表面具有圆锥或棱锥状凸部。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||