半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种具有SRAM单元的半导体器件，每个SRAM单元包括一对驱动晶体管、一对负载晶体管和一对访问晶体管，其中每个晶体管具有从衬底平面向上突出的半导体层、沿半导体层的相对侧延伸跨过半导体层的顶部的栅极电极、插入在栅极电极和半导体层之间的栅极绝缘膜以及形成在半导体层中的一对源极/漏极区。每个半导体层的纵向方向沿第一方向延伸，并且在第一方向的相邻SRAM单元之间，相应晶体管之一中的半导体层位于其中心线沿第一方向延伸的另一晶体管中的半导体层的中心线上。

主权项

1.一种具有SRAM单元的半导体器件，每个SRAM单元包括一对第一驱动晶体管和第二驱动晶体管、一对第一负载晶体管和第二负载晶体管以及一对第一访问晶体管和第二访问晶体管，其中：所述晶体管中的每一个包括从衬底平面向上突出的半导体层、沿所述半导体层的相对侧延伸跨过所述半导体层的顶部的栅极电极、插入在所述栅极电极和所述半导体层之间的栅极绝缘膜以及形成在所述半导体层中的一对源极/漏极区；每个半导体层的纵向方向沿第一方向延伸；并且在所述第一方向上的相邻SRAM单元之间，相应晶体管之一中的半导体层位于其中心线沿所述第一方向延伸的另一晶体管中的半导体层的中心线上。