发明名称 Stacked RF power amplifier
摘要 A method and apparatus provides techniques for electrically isolating switching devices in a stacked RF power amplifier, which prevents the switching devices from being subjected to high breakdown voltages. The isolation provided allows the power amplifier to be implemented on an integrated circuit.
申请公布号 US7215206(B2) 申请公布日期 2007.05.08
申请号 US20060373051 申请日期 2006.03.10
申请人 发明人
分类号 H03F3/04;H03F1/52;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24;H03F3/42 主分类号 H03F3/04
代理机构 代理人
主权项
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