| 主权项 |
1.一种半导体元件封装构造,其系包含: 一基板; 一半导体元件安装且电性连接至该基板; 一封装体封胶包覆该半导体元件于该基板之上表 面;及 一电磁干扰屏蔽层形成于该封装体上且大致上包 围住该半导体元件, 该电磁干扰屏蔽层具有一延伸于该封装体侧面之 侧部,并且该电磁干扰屏蔽层之侧部系与该基板之 下表面平齐。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件封装构 造,其中该电磁干扰屏蔽层为一导电热塑性或热固 性树脂制成之壳体。 3.如申请专利范围第2项所述之半导体元件封装构 造,其中导电热塑性或热固性树脂包含一热塑性或 热固性母材及复数个导电填料混合而成。 4.如申请专利范围第2项所述之半导体元件封装构 造,其中该壳体藉由一黏着层固定于该封装体。 5.如申请专利范围第2项所述之半导体元件封装构 造,其中该导电壳体紧密的固定于该封装体并与该 封装体相互接触。 6.如申请专利范围第2项所述之半导体元件封装构 造,其另包含延伸于该基板上表面之至少一接地线 路且该壳体连接至该接地线路。 7.如申请专利范围第1项所述之半导体元件封装构 造,其中该电磁干扰屏蔽层系为一与该封装体接触 之导电涂层。 8.如申请专利范围第7项所述之半导体元件封装构 造,其另包含延伸于该基板表面之至少一接地线路 且该导电涂层连接至该接地线路。 9.如申请专利范围第1项所述之半导体元件封装构 造,其中该电磁干扰屏蔽层为一与该封装体接触之 无电电镀金属层。 10.如申请专利范围第9项所述之半导体元件封装构 造,其另包含延伸于该基板上表面之至少一接地线 路且该无电电镀金属层连接至该接地线路。 11.如申请专利范围第1项所述之半导体元件封装构 造,其中该电磁干扰屏蔽层为一金属罩并藉由一黏 着层固定于该封装体。 12.如申请专利范围第11项所述之半导体元件封装 构造,其另包含延伸于该基板上表面之至少一接地 线路且该金属罩连接至该接地线路。 13.如申请专利范围第1项所述之半导体元件封装构 造,其中该半导体元件封装构造系用以安装至一外 部电路板,并且该电磁干扰屏蔽层之侧部系直接连 接至该外部电路板上之接地端。 14.一种复数个半导体元件封装构造的制造方法,其 系包含: 黏接数个半导体元件至一包含有复数个基板之一 基板条; 电性连接该些半导体元件至该基板条; 封胶包覆该些半导体元件于该基板条之上表面以 形成一模塑产物; 进行一切成单颗步骤将该模塑产物分割成复数个 独立的具有单一基板的模塑单元;及 设置一电磁干扰屏蔽层于该每一模塑单元上,该电 磁干扰屏蔽层具有一延伸于该封装体侧面之侧部, 并且该电磁干扰屏蔽层之侧部系与每一模塑单元 之基板之下表面平齐。 15.如申请专利范围第14项所述之复数个半导体元 件封装构造的制造方法,其中该电磁干扰屏蔽层为 一导电热塑性或热固性树脂制成之壳体。 16.如申请专利范围第14项所述之复数个半导体元 件封装构造的制造方法,其中该壳体藉由一黏着层 固定于该封装体。 17.如申请专利范围第15项所述之复数个半导体元 件封装构造的制造方法,其中该壳体系依据该封装 体之轮廓预制成形,且系利用强制插入的方式使该 壳体紧配合于该封装体而将该壳体固定在位置上 。 18.如申请专利范围第14项所述之复数个半导体元 件封装构造的制造方法,其中该电磁干扰屏蔽层为 一导电涂层。 19.如申请专利范围第18项所述之复数个半导体元 件封装构造的制造方法,其中该导电涂层可藉由喷 涂、刷涂、浸渍方式形成于该封装体上。 20.如申请专利范围第14项所述之复数个半导体元 件封装构造的制造方法,其中该电磁干扰屏蔽层为 一无电电镀金属层。 21.如申请专利范围第14项所述之复数个半导体元 件封装构造的制造方法,其中该电磁干扰屏蔽层为 一金属罩。 22.如申请专利范围第21项所述之复数个半导体元 件封装构造的制造方法,其中该金属罩藉由一黏着 层固定于该封装体。 图式简单说明: 第1A至1C图:其系根据本发明一实施例之半导体元 件封装构造主要制造步骤之剖视图。 第2A至2C图:其系根据本发明另一实施例之半导体 元件封装构造主要制造步骤之剖视图。 第3A至3B图:其系根据本发明另一实施例之半导体 元件封装构造主要制造步骤之剖视图。 第4A至4C图:其系根据本发明另一实施例之半导体 元件封装构造主要制造步骤之剖视图。 第5A至5B图:其系根据本发明另一实施例之半导体 元件封装构造主要制造步骤之剖视图。 第6A至6C图:其系根据本发明另一实施例之半导体 元件封装构造主要制造步骤之剖视图。 |
