发明名称 程式化记忆阵列之方法及装置
摘要 本发明揭示程式化一记忆阵列之方法及装置。在一实施例中,在每一字线被程式化之后,试图侦测该字线上的一缺陷。若侦测到一缺陷,则用一冗余字线来修复该字线。接着,再程式化该等字线并再检查缺陷。在另一实施例中,每一字线被程式化之后,试图侦测该字线上的一缺陷。若侦测到一缺陷,则修复该字线及一先前程式化之邻近字线。在又一实施例中,每一字线被程式化之后,试图侦测该字线及一先前程式化之邻近字线上的一缺陷。若在该字线上侦测到一缺陷,则用冗余字线修复该字线及该先前程式化之邻近字线。
申请公布号 TW200717531 申请公布日期 2007.05.01
申请号 TW095122300 申请日期 2006.06.21
申请人 桑迪士克3D公司 发明人 班迪克 克里兰;李泰元;于承恩;杨嘉;方李;杨晓元
分类号 G11C29/00(2006.01) 主分类号 G11C29/00(2006.01)
代理机构 代理人 黄章典;楼颖智
主权项
地址 美国