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发明名称
程式化记忆阵列之方法及装置
摘要
本发明揭示程式化一记忆阵列之方法及装置。在一实施例中,在每一字线被程式化之后,试图侦测该字线上的一缺陷。若侦测到一缺陷,则用一冗余字线来修复该字线。接着,再程式化该等字线并再检查缺陷。在另一实施例中,每一字线被程式化之后,试图侦测该字线上的一缺陷。若侦测到一缺陷,则修复该字线及一先前程式化之邻近字线。在又一实施例中,每一字线被程式化之后,试图侦测该字线及一先前程式化之邻近字线上的一缺陷。若在该字线上侦测到一缺陷,则用冗余字线修复该字线及该先前程式化之邻近字线。
申请公布号
TW200717531
申请公布日期
2007.05.01
申请号
TW095122300
申请日期
2006.06.21
申请人
桑迪士克3D公司
发明人
班迪克 克里兰;李泰元;于承恩;杨嘉;方李;杨晓元
分类号
G11C29/00(2006.01)
主分类号
G11C29/00(2006.01)
代理机构
代理人
黄章典;楼颖智
主权项
地址
美国
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