发明名称 记忆体元件及半导体装置
摘要 本发明目的系提出一种非依电性记忆体装置,其中可在制造期间之外额外写入并且可避免因再次写入造成的仿造等等,以及提出具有该记忆体装置的半导体装置。本发明另一目的系提出具有高度可靠度的廉价非依电性记忆体装置与半导体装置。本发明本发明其中一项特点,一记忆体装置包括在一绝缘表面上面形成之第一导电层、第二导电层、置于该第一导电层与该第二导电层之间的第一绝缘层,以及覆盖该第一导电层一部分的第二绝缘层,其中该第一绝缘层覆盖该第一导电层的边缘部分、该绝缘表面与该第二绝缘层。
申请公布号 TW200717776 申请公布日期 2007.05.01
申请号 TW095104243 申请日期 2006.02.08
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 汤川干央;高野圭惠;浅见良信;山崎舜平;佐藤岳尚
分类号 H01L27/10(2006.01) 主分类号 H01L27/10(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本