| 摘要 |
本案卢氏半导体(Lus Semiconductor)装置，系将功率金属氧化半导体场效电晶体(Power Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor, Power MOSFETs)之源极(Source)与汲极(Drain)间之静电隔离二极体(Static Shielding Diode, SSD)改为极性相反之静电隔离二极体或萧特基二极体或Zener Diode，或改为二只萧特基二极体(Schottky Diode)反向连接，或二只稽纳二极体(Zener Diode)反向连接，或二只快速二极体(Fast Diode)反向连接，或一只四层半导体装置(Four LayerDevice)如DIAC、Triac等，其特征为利用Power MOSFETs之汲源电阻(Drain-Source Resistor)甚小之优点，而达到高效率同步整流之目的。 |
