| 主权项 |
1.一种单晶尖晶石晶圆,其包括: 正面和背面,该晶圆具有<111>结晶学取向;及 具有第一台面及第二台面之外周边,其中该第一台 面显示晶圆解理面之取向,该晶圆解理面在沿一条 线延伸的点之轨迹相交于正面,且该线平行于第一 台面,以及该第二台面显示解理面之解理蔓延方向 ; 其中该晶圆具有由通式aADbE2D3代表之组成,其中A 系选自由Mg、Ca、Zn、Mn、Ba、Sr、Cd、Fe及其组合所 组成之群组,E系选自由Al、In、Cr、Sc、Lu、Fe及其 组合所组成之群组,以及D系选自由O、S、Se及其组 合所组成之群组。 2.根据请求项1之单晶尖晶石晶圆,其中该晶圆之正 面及背面沿{111}结晶平面延伸。 3.根据请求项1之单晶尖晶石晶圆,其中该第一台面 沿{22-4}和{11-2}平面族中的一个平面延伸。 4.根据请求项1之单晶尖晶石晶圆,其中该第二台面 确定晶圆之正表面及背表面。 5.根据请求项1之单晶尖晶石晶圆,其中该解理面与 正面产生约55度角。 6.根据请求项1之单晶尖晶石晶圆,其中该第二台面 沿不平行于较大台面平面的{02-2}、{01-1}、{22-4}及{ 11-2}平面族中之平面延伸。 7.根据请求项1之单晶尖晶石晶圆,其中该第一台面 的法线和第二台面的法线处于相同平面,以使法线 相互相交,且法线产生60、90、120或150度角。 8.根据请求项1之单晶尖晶石晶圆,其中该晶圆包括 非化学计量尖晶石。 9.根据请求项1之单晶尖晶石晶圆,其中该A为Mg,D为O ,且E为Al,以使单晶尖晶石具有式aMgO.bAl2O3。 10.根据请求项8之单晶尖晶石晶圆,其中该b:a之比 系不小于约1.2:1。 11.根据请求项8之单晶尖晶石晶圆,其中该b:a之比 系不小于约1.5:1。 12.根据请求项8之单晶尖晶石晶圆,其中该b:a之比 系不小于约2.0:1。 13.根据请求项8之单晶尖晶石晶圆,其中该b:a之比 系不小于约2.5:1。 14.根据请求项8之单晶尖晶石晶圆,其中该b:a之比 系不大于约4:1。 15.根据请求项8之单晶尖晶石晶圆,其中与化学计 量尖晶石比较,该晶圆具有较低机械应力及应变。 16.根据请求项1之单晶尖晶石晶圆,其进一步包括 有源层,该有源层包括氮化物半导体层。 17.根据请求项16之单晶尖晶石晶圆,其中该氮化物 半导体层包括AlxGa1-x-y InyN,其中0≦x≦0.25,且0≦y≦ 0.5。 18.根据请求项1之单晶尖晶石晶圆,其中该第一台 面为较大台面,第二台面为较小台面。 19.根据请求项1之晶圆,其中该解理面沿形成第二 线的点之轨迹与底面相交,其中该解理面系经取向 ,以使该解理面自第一台面倾斜开,且该第二线系 位于离第一台面大于第一线和第一台面间距离之 距离。 20.根据请求项19之晶圆,其中该第一台面为较大台 面,该第二台面为较小台面。 21.根据请求项19之晶圆,其中该第二台面系经布置, 以显示解理面坡度之方向。 图式简单说明: 图1a显示已生长的尖晶石<111>晶块,图1b为具有已除 去颈和尾之晶块及自其形成之晶圆,图1c为晶圆之 示意横截面。 图2为根据本发明一具体实施例之晶圆之透视图。 图3为根据本发明一具体实施例之晶圆之俯视图。 图4a和4b为相反取向的尖晶石<111>之反向散射图像, 图4c为<011>取向的晶块,图4d为<100>取向的晶块。 图5a-5c显示根据本发明一具体实施例之尖晶石晶 块之取向,图5a显示表现较大及较小平面之<111>尖 晶石之横截面,图5b为<111>取向之反向散射图像,图5 c为具有所鉴定正面之晶块。 |
