| 主权项 |
1.一种含具有沟渠结构之隔离层的影像感测器之 制造方法,其中一影像感测器系积体有一空乏模式 电晶体及一典型电晶体,该方法包含下列步骤: 依序于基板上形成一缓冲氧化物层和一衬垫氮化 物层; 藉由执行装置隔离遮罩程序和蚀刻程序,以便于空 乏模式电晶体用第一区域和典型电晶体用第二区 域内形成沟渠,将形成于该第一区域上的衬垫氮化 物层和形成于该第二区域上的缓冲氧化物层制作 成图案; 在各沟渠的横向侧上形成一间隔物; 遮蔽该第二区域以藉由使用高能量于该第一区域 内的电晶体底部一侧上形成一高浓度的第一通路 截止离子植入区; 移除形成于第一区域和第二区域内沟渠之横向侧 上的间隔物; 遮蔽该第二区域以藉由使用低能量形成一低浓度 的第二通路截止离子植入区,使该第二通路截止离 子植入区包围第一区域内沟渠的横向侧和底部侧; 以及 将一绝缘材料埋入第一区域和第二区域的沟渠之 内。 2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该第一通 路截止离子植入区系藉由使用范围为150KeV到250KeV 的高能量,以及范围为6.01012cm-3到1.51013cm-3的浓度 而形成的。 3.如申请专利范围第1项之制造方法,其中系在给定 倾角及旋转作用下执行用于形成第一通路截止离 子植入区的离子植入程序。 4.如申请专利范围第3项之制造方法,其中该第二通 路截止离子植入区系藉由使用40KeV的低能量以及6. 01012cm-3的浓度形成的。 5.如申请专利范围第2项之制造方法,其中该第一通 路截止离子植入区和第二通路截止离子植入区均 藉由使用硼(B11)形成的。 6.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该间隔物 为一种四乙基原矽酸盐(TEOS)氧化物层。 图式简单说明: 第1A图系用以显示一种影像感测器中由一个光二 极体(PD)及四个n-型MOS电晶体构成之单元画素的电 路图。 第1B图系用以显示如第1A图所示之影像感测器内所 产生问题的解释用示意图。 第2A到2E图系用以显示一种根据本发明较佳实施例 形成具有沟渠结构之装置隔离层之方法的截面图 示。 第3图系用以显示本发明之效应的示意图。 |
