半导体装置及其制造方法

摘要

于半导体基板1形成STI7之形成方法中，在半导体基板上形成保护氧化膜，在该保护氧化膜上形成氮化矽膜，藉由光微影及乾蚀刻，贯穿该氮化矽膜及保护氧化膜并将半导体基板的一部分去除来形成槽部，于槽部及氮化矽膜上形成埋设氧化膜，以CMP去除氮化矽膜上之埋设氧化膜及氮化矽膜的表面部，并以湿蚀刻将堆积于槽部之埋设氧化膜的一部分去除。其可提供一种STI之制造方法，能使微细构造之半导体装置的STI段差为一定。