半导体装置及半导体装置之制造方法

摘要

抑制场效电晶体被形成之半导体层之结晶性劣化之同时，于场效电晶体被形成之半导体层下配置低电阻化之逆闸极。于单晶半导体基板11上形成填埋氧化膜12，于填埋氧化膜12上形成第1单晶半导体层13用于构成逆闸极。另外，于第1单晶半导体层13上形成填埋氧化膜14，于填埋氧化膜14上沈积台面分离之第2单晶半导体层15a、15b，第2单晶半导体层15a、15b之膜厚设为大于第1单晶半导体层13之膜厚之同时，于第2单晶半导体层15a、15b形成SOI电晶体。