| 主权项 |
1.一种形成奈米级特征之方法,至少包含: 提供一基材; 形成一材料层于该基材之上;以及 施加一偏压于一奈米碳管,使该奈米碳管发射一电 子束熔融部分该材料层,用以形成奈米级开口于该 材料层。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基材系 为一导体或一半导体。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基材系 为一导电薄膜。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该材料层 为一高分子材料。 5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该高分子 材料为聚甲基异丁烯酸酯。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该材料层 厚度约为20nm至100nm。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该偏压约 为-100V至-400V。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该偏压约 为-300V。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含对该基 材施一正偏压,约为1V至5000V。 10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更包含: 形成金属微粒于该些开口中;以及 移除该材料层,用以形成具有奈米级金属微粒之一 储存媒体。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该形成 金属微粒于该些开口中系利用电镀或蒸镀方法。 12.一种形成奈米级金属微粒于基材上之方法,适用 于制造一高密度资料储存媒体,至少包含: 提供一基材; 形成一薄材料层于该基材之上; 施加一偏压于一奈米碳管,使该奈米碳管发射一电 子束熔融部分该材料层,用以形成奈米级开口于该 材料层; 形成金属微粒于该些开口中;以及 移除该材料层,用以形成具有奈米级金属微粒之一 储存媒体。 13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该基材 系为一导体或一半导体。 14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该基材 系为一导电薄膜。 15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该材料 层为一高分子材料。 16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该高分 子材料为聚甲基异丁烯酸酯。 17.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该偏压 约为-100V至-400V。 18.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该偏压 约为-300V。 19.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该形成 金属微粒于该些开口中系利用电镀或蒸镀方法。 20.一种制造高密度资料储存媒体之方法,至少包含 : 提供一基材; 形成一高分子材料层于该基材之上; 施加一偏压于一奈米碳管,使该奈米碳管发射一电 子束熔融部分该材料层,用以形成奈米级开口于该 材料层; 电镀或蒸镀金属微粒于该些开口中;以及 移除该材料层,用以形成具有奈米级金属微粒之一 储存媒体。 21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该基材 系为一导体或一半导体。 22.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该偏压 约为-100V至-400V。 23.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该材料 层为聚甲基异丁烯酸酯。 24.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该材料 层厚度约为20nm至100nm。 图式简单说明: 第1图系绘示依照本发明一较佳实施例之形成奈米 级特征之方法的流程图。 第2A至2D图系绘示依照本发明之一较佳实施例的形 成奈米级金属微粒于基材上的过程中,基材的横剖 面图。 |
