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发明名称
高电流半导体功率器件小外形积体电路封装
摘要
本发明公开了一种高电流半导体功率SOIC封装。该封装包括由具有大于8mil厚度的单规格材料形成的相对厚的引线框,所述引线框具有多个引线和第一引线框区,该第一引线框区包括焊接到其上的晶片;一对设置在与晶片顶表面同一平面上的引线键合区域;将晶片连接到多个引线上的铝制大直径键合导线;和密封晶片,键合导线和引线框的至少一部分的树脂体。
申请公布号
TW200818438
申请公布日期
2008.04.16
申请号
TW096135002
申请日期
2007.09.19
申请人
万国半导体股份有限公司
发明人
孙明;张晓天;施磊
分类号
H01L23/482(2006.01);H01L21/58(2006.01)
主分类号
H01L23/482(2006.01)
代理机构
代理人
蔡清福
主权项
地址
百慕达
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