发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明系一种半导体装置及其制造方法,系有关于一种具备有辨识影像用的对准图案之半导体装置及其制造方法,且能高精密度来进行对准图案的位置检测。又本发明之半导体装置解决手段系具备有:包含有复数个形成有半导体积体电路17的半导体积体电路形成区域B之半导体基板11;以及形成在该半导体积体电路形成区域B之半导体积体电路17;其中于半导体积体电路形成区域B外围附近设置有一用来辨识影像的对准图案20。
申请公布号 TW200818292 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW096128851 申请日期 2007.08.06
申请人 三美电机股份有限公司 发明人 种村之宏
分类号 H01L21/302(2006.01);H01L21/82(2006.01);B23K26/00(2006.01) 主分类号 H01L21/302(2006.01)
代理机构 代理人 吴宏山;林志诚
主权项
地址 日本