| 发明名称 | 非易失存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失存储器，包括基底、一层导体层、一层电荷储存层、多个第一掺杂区及多个第二掺杂区。其中，基底中具有多个沟渠，导体层设置于基底上，并填满沟渠。电荷储存层设置于导体层与基底之间。多个第一掺杂区分别设置于各沟渠两侧的基底中，且两个沟渠之间的两个第一掺杂区互不接触。多个第二掺杂区分别设置于这些沟渠下方的基底中。 | ||
| 申请公布号 | CN1953183A | 申请公布日期 | 2007.04.25 |
| 申请号 | CN200510109544.2 | 申请日期 | 2005.10.21 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吴昭谊 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 包红健 |
| 主权项 | 1.一种非易失存储器，其特征是包括：基底，该基底中具有多个沟渠；导体层，设置于该基底上，并填满该沟渠；电荷储存层，设置于该导体层与该基底之间；多个第一掺杂区，分别设置于各该沟渠两侧的该基底中，且两个沟渠之间的两个第一掺杂区互不接触；以及多个第二掺杂区，分别设置于上述这些沟渠下方的该基底中。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||