| 发明名称 | 基于氮化物的半导体发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种基于氮化物的半导体LED包括：衬底；在衬底上形成的n型氮化物半导体层；在n型氮化物半导体层的预定区域上形成的有源层；形成在有源层上的p型氮化物半导体层；在p型氮化物半导体层上形成的电流扩散层；在电流扩散层上形成的p电极，该p电极具有两个p型分支电极；以及在其上没有形成有源层的n型氮化物半导体层上形成的n电极，该n电极具有一个n型分支电极。n型分支电极形成为插入在两个p型分支电极之间，并且从接近n电极的透明电极的最外侧到p电极的距离在任何位置处都相等。 | ||
| 申请公布号 | CN1953225A | 申请公布日期 | 2007.04.25 |
| 申请号 | CN200610150604.X | 申请日期 | 2006.10.17 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 李赫民;片仁俊;朴炫柱;金显炅;金东俊;申贤秀 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李伟 |
| 主权项 | 1.一种基于氮化物的半导体LED，包括：衬底；在所述衬底上形成的n型氮化物半导体层；在所述n型氮化物半导体层的预定区域上形成的有源层；在所述有源层上形成的p型氮化物半导体层；在所述p型氮化物半导体层上形成的电流扩散层；在所述电流扩散层上形成的p电极，所述p电极具有两个p型分支电极；以及在其上没有形成所述有源层的所述n型氮化物半导体层上形成的n电极，所述n电极具有一个n型分支电极，其中，所述n型分支电极形成为插在两个所述p型分支电极之间，且从接近所述n电极的透明电极的最外侧到所述p电极的距离在任何位置都相等。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||