发明名称 运算放大器
摘要 本发明提供可缩小差动晶体管的尺寸及布图面积等的运算放大器。在被输入低电压信号的差动放大电路(12)的后级上连接高耐压的电流镜电路(14)的运算放大器中,差动放大电路(12)的N沟道FET即低耐压晶体管(24、26)与输入端子(20、22)连接,各漏极经由连接点(N1、N2)连接到N沟道高耐压晶体管(28、30)连接,各栅极上均被供给偏压电位(BIAS2)。低耐压晶体管(24、26)的源极与低耐压晶体管(34)的漏极连接,其栅极上被供给偏压电位(BIAS1),起电流源的作用,低耐压晶体管(24、26、34)的晶体管尺寸设定为小于高耐压晶体管。
申请公布号 CN1953321A 申请公布日期 2007.04.25
申请号 CN200610139638.9 申请日期 2006.09.20
申请人 冲电气工业株式会社 发明人 樋口钢儿
分类号 H03F3/45(2006.01) 主分类号 H03F3/45(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;刘宗杰
主权项 1.一种运算放大器,是输入低电压输入信号而得到高电压输出的高电压输出型,其特征在于,该运算放大器包含:输入所述低电压输入信号的差动放大电路;与该差动放大电路的后级连接,并利用高电源电压来驱动的电流镜电路,所述差动放大电路包含:被输入所述低电压输入信号的低耐压的差动晶体管对;与该差动晶体管对连接的低耐压的恒流源晶体管;以及在所述差动晶体管对和所述电流镜电路之间,与所述差动晶体管对分别对应地连接的高耐压的晶体管对,所述后级的所述电流镜电路用高耐压的晶体管形成,将所述高耐压的晶体管对的各栅极连接在一起,同时该栅极与输入端子连接,该输入端子供给低于所述高电源电压的低电源电压以下的偏压电位。
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