光刻掩模制造

摘要

一种在光刻成像系统中应用的用于形成半导体晶片的图形的光刻掩模。该光刻掩模包括一个衬底，以及一个在衬底上的吸收体。该吸收体经选择性的刻蚀以形成掩模特征。在一个实施例中，掩模包括一个衬底上的薄层，薄层的厚度和材料产生一个抵消相位误差的相位纠正，因此掩模的共用的工艺窗口被保持在一个阈值水平之上。在另一个实施例中，掩模包括一个多层次反射体，多层次反射体的若干部分在相邻于掩模的特征处被刻蚀。在还有一个实施例中，吸收体的折射率匹配或接近匹配于光刻成像在其中发生的环境的折射率。

主权项

1.一种制造光刻掩模的方法，该方法包括：在一个衬底上形成一种材料的一个薄层；在该薄层上形成一个吸收体；和选择性地刻蚀该吸收体以形成掩模特征；其中所述薄层部分地覆盖于衬底上，该薄层的位置、厚度和材料经选择以产生一个抵消相位误差的相位纠正，这样，掩模的一个共用的工艺窗口被保持在一个阈值水平之上。