| 发明名称 | 合成射频器件和用于制造该器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供了由两个垂直层叠的RF电路组成的合成RF器件。该合成RF器件包括：衬底、设置在衬底上的第二RF电路、以及设置在第二RF电路上且不需要衬底的第一RF电路。该第一RF电路在转移到第二RF电路之前在另一衬底上形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1953175A | 申请公布日期 | 2007.04.25 |
| 申请号 | CN200610137385.1 | 申请日期 | 2006.10.19 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 山川岳彦;中塚宏;大西庆治 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/82(2006.01);H03H9/00(2006.01) | 主分类号 | H01L25/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张鑫 |
| 主权项 | 1.一种由两个垂直层叠的RF电路组成的合成RF器件，包括：衬底；设置在所述衬底上的第二RF电路；以及设置在所述第二RF电路上的第一RF电路，所述第一RF电路不需要衬底，其中所述第一RF电路在转移到所述第二RF电路之前在另一衬底上形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||