| 摘要 |
Procédé de réalisation d'un circuit électronique intégré tridimensionnel (100) comportant les étapes de : - réalisation d'une première portion conductrice (124) sur une première couche diélectrique (112) recouvrant une première couche semiconductrice (108) ; - réalisation d'un premier composant électronique (162, 164) dans une deuxième couche semi-conductrice (156) disposée sur une deuxième couche diélectrique (118, 120, 126, 132, 134, 136, 142, 148, 160) recouvrant la première portion conductrice, et d'un deuxième composant électronique (170, 172) dans la première couche semiconductrice ; - réalisation d'une interconnexion électrique reliant électriquement les premier et deuxième composants électroniques entre eux, dont une première partie (182) traverse la première couche diélectrique et relie électriquement le deuxième composant électronique à la première portion conductrice, et dont une deuxième partie (196) traverse au moins une partie de la deuxième couche diélectrique et relie électriquement le premier composant électronique à la première portion conductrice. |
