| 主权项 |
1.一种导电基板,其包括具有正反两面的铜箔,其中 对该正反两面之一或二者进行电化学磨光处理、 机械磨光处理或粗糙化处理;以及该正反两面上各 有一层镍,其中该铜箔正反两面之一或二者已经磨 光至光滑度约10微英寸或以下。 2.根据申请专利范围第1项之导电基板,其中对该铜 箔正反两面之一或二者进行电化学磨光处理或是 机械磨光处理。 3.根据申请专利范围第1项之导电基板,其中对该铜 箔正反两面之一或二者进行粗糙化处理。 4.根据申请专利范围第1项之导电基板,其中对该铜 箔正反两面之一或二者提供铜或镍粒。 5.根据申请专利范围第1项之导电基板,其中该铜箔 系电沈积铜箔。 6.根据申请专利范围第1项之导电基板,其中该铜箔 系经辊压并退火之铜箔。 7.根据申请专利范围第1项之导电基板,其中在该铜 箔正反两面之一或二者上提供铜或镍粒,该结尺寸 自40至200微英寸。 8.根据申请专利范围第1项之导电基板,其中在该铜 箔正反两面之一或二者上提供铜或镍粒,该结尺寸 自40至150微英寸。 9.根据申请专利范围第1项之导电基板,该镍层中至 少一者上另外包括一层金属、聚合物、陶瓷或其 组合物之额外层。 10.根据申请专利范围第1项之导电基板,该两层镍 层上另外包括一层金属、聚合物、陶瓷或其组合 物之额外层。 11.根据申请专利范围第1项之导电基板,该镍层中 至少一者上另外包括一层电阻器、电容器或感应 体形成材料之额外层。 12.根据申请专利范围第1项之导电基板,该镍层厚 度自约0.1 m至约5 m。 13.一种制造导电基板之方法,该导电基板包括具有 正反两面的铜箔:对该正反两面之一或二者进行电 化学磨光处理、机械磨光处理或粗糙化处理:并在 该正反两面上各沈积一层镍,其中该铜箔正反两面 之一或二者己经磨光至光滑度约10微英寸或以下 。 14.根据申请专利范围第13项之方法,其中对该铜箔 正反两面之一或二者进行电化学磨光处理或是机 械磨光处理。 15.根据申请专利范围第13项之方法,其中对该铜箔 正反两面之一或二者进行粗糙化处理。 16.根据申请专利范围第13项之方法,其中对该铜箔 正反两面之一或二者提供铜或镍粒。 17.根据申请专利范围第13项之方法,其中该铜箔系 电沈积铜箔。 18.根据申请专利范围第13项之方法,其中该铜箔系 经辊压并退火之铜箔。 19.根据申请专利范围第13项之方法,其中在该铜箔 正反两面之一或二者上提供铜或镍粒,该结尺寸自 40至200微英寸。 20.根据申请专利范围第13项之方法,其中在该铜箔 正反两面之一或二者上提供铜或镍粒,该结尺寸自 40至150微英寸。 21.根据申请专利范围第13项之方法,该镍层中至少 一者上另外包括一层金属、聚合物、陶瓷或其组 合物之额外层。 22.根据申请专利范围第13项之方法,该两层镍层上 另外包括一层金属、聚合物、陶瓷或其组合物之 额外层。 23.根据申请专利范围第13项之方法,该镍层中至少 一者上另外包括一层电阻器、电容器或感应体形 成材料之额外层。 24.根据申请专利范围第13项之方法,该镍层厚度自 约0.1m至约5 m。 |
