| 主权项 |
1.一种光学储存媒介,应用在光近场读取装置中,该 光近场读取装置包含有一读写头,用以进行一光进 近场读取机制;其光学储存媒介包含: 一基板; 一第一轨道,以一第一材质所完成并设于该基板之 第一侧,其中可形成以一第二材质所完成之复数个 记录点,该第一材质与该第二材质之反射率不同, 使得该读写头可利用该光近场读取机制来进行资 料读取;以及 一第二轨道,以一第三材质所完成并相邻于该第一 轨道而设于该基板之第一侧,该第三材质与该第一 材质之反射率不同,使得该读写头可利用该光进场 读取机制来进行跨轨动作。 2.如申请专利范围第1项所述之光学储存媒介,所应 用之光近场读取装置,其中该读写头发出一雷射光 源来对该第一轨道与该第二轨道进行该光近场读 取机制,进而陆续完成寻轨、跨轨动作与资料之读 取。 3.如申请专利范围第1项所述之光学储存媒介,其中 该第一轨道与该第二轨道组成一记录层,该记录层 由一相变化材质所完成,该记录层中该第一轨道上 之复数个记录点,其第二材质之相性与该第一轨道 之第一材质的相性不同,而第二轨道之第三材质的 相性与该第一材质的相性也不同。 4.如申请专利范围第3项所述之光学储存媒介,其中 相性之不同可为结晶态之不同,而该第一材质为一 结晶态反射材质,该第二材质为一非结晶态反射材 质,而该第三材质为一非结晶态反射材质。 5.如申请专利范围第3项所述之光学储存媒介,其中 相性之不同可为结晶态之不同,而该第一材质为一 非结晶态反射材质,该第二材质为一结晶态反射材 质,而该第三材质为一结晶态反射材质。 6.如申请专利范围第1项所述之光学储存媒介,其中 该第一轨道较靠近该雷射光源系为一轨沟(Groove), 而该第二轨道较远离该雷射光源系为一轨面(Land) 。 7.如申请专利范围第6项所述之光学储存媒介,其中 该轨沟(Groove)为一结晶态反射材质,该轨面(Land)为 一非结晶态反射材质。 8.如申请专利范围第7项所述之光学储存媒介,其中 该轨沟(Groove)为一非结晶态反射材质,该轨面(Land) 为一结晶态反射材质。 9.如申请专利范围第1项所述之光学储存媒介,其中 该第二轨道,其中可形成一第四材质所完成之复数 个记录点,该第四材质与该第三材质之反射率不同 。 10.如申请专利范围第9项所述之光学储存媒介,其 中该第四材质为一结晶态反射材质,该第三材质为 一非结晶态反射材质。 11.如申请专利范围第9项所述之光学储存媒介,其 中该第四材质为一非结晶态反射材质,该第三材质 为一结晶态反射材质。 12.一种光近场读取装置,该光近场读取装置包含有 一读写头,用以读取一种光学储存媒介;其光学储 存媒介包含: 一基板; 一第一轨道,以一第一材质所完成并设于该基板之 第一侧,其中可形成以一第二材质所完成之复数个 记录点,该第一材质与该第二材质之反射率不同, 使得该读写头可利用该光近场读取机制来进行资 料读取;以及 一第二轨道,以一第三材质所完成并相邻于该第一 轨道而设于该基板之第一侧,该第三材质与该第一 材质之反射率不同,使得该读写头可利用该光进场 读取机制来进行跨轨动作。 13.如申请专利范围第12项所述之光近场读取装置, 其中该读写头发出一雷射光源来对该第一轨道与 该第二轨道进行该光近场读取机制,进而陆续完成 寻轨、跨轨动作与资料之读取。 14.如申请专利范围第12项所述之光近场读取装置, 其中所读取之光学储存媒介,该第一轨道与该第二 轨道组成一记录层,该记录层由一相变化材质所完 成,该记录层中该第一轨道上之复数个记录点,其 第二材质之相性与该第一轨道之第一材质的相性 不同,而第二轨道之第三材质的相性与该第一材质 的相性也不同。 15.如申请专利范围第14项所述之光近场读取装置, 其中所读取之光学储存媒介,该相性之不同可为结 晶态之不同,而该第一材质为一结晶态反射材质, 该第二材质为一非结晶态反射材质,而该第三材质 为一非结晶态反射材质。 16.如申请专利范围第14项所述之光近场读取装置, 其中所读取之光学储存媒介,该相性之不同可为结 晶态之不同,而该第一材质为一非结晶态反射材质 ,该第二材质为一结晶态反射材质,而该第三材质 为一结晶态反射材质。 17.如申请专利范围第12项所述之光近场读取装置, 其中所读取之光学储存媒介,该第一轨道较靠近该 雷射光源系为一轨沟(Groove),而该第二轨道较远离 该雷射光源系为一轨面(Land)。 18.如申请专利范围第17项所述之光近场读取装置, 其中所读取之光学储存媒介,该轨沟(Groove)为一结 晶态反射材质,该轨面(Land)为一非结晶态反射材质 。 19.如申请专利范围第18项所述之光近场读取装置, 其中所读取之光学储存媒介,该轨沟(Groove)为一非 结晶态反射材质,该轨面(Land)为一结晶态反射材质 。 20.如申请专利范围第12项所述之光近场读取装置, 其中所读取之光学储存媒介,该第二轨道,其中可 形成一第四材质所完成之复数个记录点,该第四材 质与该第三材质之反射率不同。 21.如申请专利范围第20项所述之光近场读取装置, 其中所读取之光学储存媒介,该第四材质为一结晶 态反射材质,该第三材质为一非结晶态反射材质。 22.如申请专利范围第20项所述之光近场读取装置, 其中所读取之光学储存媒介,该第四材质为一非结 晶态反射材质,该第三材质为一结晶态反射材质。 图式简单说明: 第一图,其系一光储存媒介之习用构造示意图。 第二图(a)(b),其系本案为改善习用手段所发展出来 的应用光近场读取光储存媒介之第一较佳构造示 意图。 第三图,其系本案为改善习用手段所发展出来的应 用光近场读取光储存媒介之第二较佳构造示意图 。 第四图,其系本案为改善习用手段所发展出来的应 用光近场读取光储存媒介之第三较佳构造示意图 。 第五图,其系本案为改善习用手段所发展出来的应 用光近场读取光储存媒介之第四较佳构造示意图 。 第六图,其系本案为改善习用手段所发展出来的应 用光近场读取光储存媒介之第五较佳构造示意图 。 第七图,其系本案为改善习用手段所发展出来的应 用光近场读取光储存媒介之第六较佳构造示意图 。 |
