| 主权项 |
1.一种晶圆研磨系统,包括一晶圆载盘及用以旋转 该晶圆载盘之装置,该晶圆载盘包括一载盘容置部 ,一压力盘及一挡环,挡环环绕该压力盘,并由压力 盘下方延伸以形成一大小可收纳晶圆之筒状凹室( cylindrical recess),该晶圆载盘更包括: 复数个可向下膨胀之元件,设置于压力盘底表面之 上方或下方; 一压缩空气来源,以流体与可膨胀容室相通; 一压力调节阀,设置于该空气来源与可膨胀容室之 间。 2.如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨系统,其中 该晶圆载盘更包括: 一歧管,位于压力盘内,以流体与该压缩流体来源 相通: 复数个流体通路,由歧管连通至可膨胀容室; 复数个阀件,设置于流体通路中,该阀件为可操作 以维持可膨胀容室之压力。 3.如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨系统,其中 : 该复数个可膨胀容室设置于一盘体上,且该盘体固 定于压力盘,该盘体包括一位于盘体内之歧管,以 流体与压缩流体来源相通: 复数个流体通路,由歧管连通至可膨胀容室; 复数个阀件,设置于流体通路中盘体内,为可操作 以维持可膨胀容室之压力。 4.如申请专利范围第2项所述之晶圆研磨系统,其中 该复数个阀件为压力调节阀,其压力为可变且操作 者可选择,以维持可膨胀容室之压力。 5.如申请专利范围第4项所述之晶圆研磨系统,其中 该复数个阀件为压力调节阀,其压力为可变且操作 者可选择,以维持可膨胀容室之压力。 6.如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨系统,其中 该晶圆载盘更包括: 一歧管,位于压力盘内,以流体与压缩流体来源相 通; 复数个流体通路,由歧管连通至可膨胀容室; 复数个第一压力调节阀,设置于第一组流体通路中 ,该复数个第一压力调节阀之设定可维持该可膨胀 容室于第一预设压力: 复数个第二压力调节阀,设置于第二组流体通路中 ,该复数个第二压力调节阀之设定可维持该可膨胀 容室于第二预设压力。 7.如申请专利范围第5项所述之晶圆研磨系统,其中 该复数个阀件系以微机电阀件之形式提供,并形成 于一与待研磨晶圆之直径相同之矽晶圆中,该矽晶 圆具有复数个提供空气予阀件之流体入口,及许多 流体出口提供空气由阀件流向可膨胀容室。 8.如申请专利范围第7项所述之晶圆研磨系统,更包 括: 一膜,横跨压力盘之底表面,该膜于压力调节阀提 供之空气压力下为局部可膨胀。 9.如申请专利范围第7项所述之晶圆研磨系统,更包 括: 一弹性膜,横跨压力盘之底表面,该弹性膜于压力 调节阀提供之空气压力下为局部可膨胀。 图式简单说明: 第1图显示一化学机械平坦化系统。 第2图显示晶圆载盘之剖面图,其于研磨期间施加 背压至晶圆之许多区域。 第3图显示于背压施加器上之可膨胀元件阵列。 第4图显示第3图之背压施加器之剖面图。 第5图显示第4图之背压施加器之操作。 第6及7图显示第4及5图中背压施加器盘体之流体供 应系统。 第8图显示晶圆及背压施加器上硬点及背压区之模 型分布。 第9图显示一具有低密度背压区阵列之背压施加器 。 第10图显示一晶圆载盘,其具有高解析度且直接建 构于压力盘上之可膨胀容室阵列。 第11图显示可膨胀元件阵列之剖面图,包括背压施 加器上之形状记忆元件。 |
